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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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T3Ster是一款先進的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測試儀器,在數(shù)分鐘內(nèi)提供各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。T3Ster專為半導(dǎo)體、電子應(yīng)用和LED行業(yè)以及研發(fā)實驗室的應(yīng)...
MOS管的源極和漏極是否可以互換使用,場效應(yīng)管的D極和S極呢?
按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來說,所有管子id電流是可以雙向流過的,讓人感覺似乎使用時D-S可以互換,也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對比時,也表明D-S...
2022-10-25 標(biāo)簽:二極管場效應(yīng)管MOS管 4162 0
【實用電路設(shè)計案例】緩啟動電路實例分析與應(yīng)用
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題,詳細(xì)分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù),通過分析和實際對電路參數(shù)的更改,使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
MOS管怎么用?從認(rèn)識米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結(jié)型晶體管,其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和...
關(guān)于MOS管驅(qū)動電路設(shè)計,本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。 一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS管的G極...
電流源是一種非常常用的電路,如工業(yè)中4-20mA輸出,LED恒流驅(qū)動,以及一些傳感器可能也需要恒流驅(qū)動等。
MOS管是一種電壓型控制器件,具有開掛速度快,輸入阻抗高,驅(qū)動功率小等一系列優(yōu)點。
電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來提高工作電壓,但由此也帶來通態(tài)電阻的增大,當(dāng)電流比較大時,管壓降和損耗會明顯加大,因此MOSFET特別適合...
MOS管中的N型/P型是什么意思?溝道呢?金屬氧化物膜又是什么
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)方面給大家進行簡單的描述介紹。
2022-10-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管金屬氧化物膜 5459 0
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗...
? 本文主要的目的不在于講一個音頻耦合電容的問題,重點在于分析方法。 如果你碰到一個新的電路,不知道如何下手的時候,不妨按照這個方法試一試。頭腦中簡單建...
2022-10-18 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻阻抗MOS管 5651 0
Path1容易出現(xiàn)hold問題,path2容易出現(xiàn)setup問題;如果在path1和path2的commen part修timing就會導(dǎo)致另外一個pa...
MOS開關(guān)實現(xiàn)的功能和開關(guān)條件
借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過來接無數(shù)值,說明是N溝道,若情況相反是P溝道。
MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的...
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