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標(biāo)簽 > mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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2023-12-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管電荷 4305 0

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igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,用途廣泛,在各種電子設(shè)備中都會使用。雖然它們有一些相似之處,但也存在一些顯著的...

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2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管PN結(jié) 6185 0

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開關(guān)管的工作原理 開關(guān)管怎么檢測好壞

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對于DC-DC變換器的效率提升,需要有低電壓、大電流的MOS管來優(yōu)化代換。畢竟同步整流技術(shù)是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管,從而大大...

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芯片異常漏電幾種情況分析

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門電路的輸入端懸空,有可能導(dǎo)致PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通,存在短路電流,如果MOS管的尺寸越大表現(xiàn)出來的漏電流就越大.

2023-12-08 標(biāo)簽:芯片ldoMOS管 5078 0

推挽式開關(guān)電源2個(gè)開關(guān)管誰先起振

推挽式開關(guān)電源是一種常見的開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要由兩個(gè)開關(guān)管組成,分別是P溝道MOS管和N溝道MOS管。在這兩個(gè)開關(guān)管中,誰先起振取決于電路的工作條件...

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mos管尖峰電壓如何消除

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2023-12-08 標(biāo)簽:MOS管電壓電磁干擾 1.1萬 0

Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤方案分析

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2023-12-07 標(biāo)簽:原理圖MOS管驅(qū)動板 3018 4

電流傳感器在光伏逆變器的應(yīng)用

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光伏逆變器是將太陽能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備,它主要由直流輸入端、逆變器芯片、交流輸出端、控制電路和散熱器等組成。

2023-12-07 標(biāo)簽:MOS管電流傳感器光伏逆變器 1171 0

Cadence中的電流方向怎么看?

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用tran仿真時(shí),outputs-to be saved,選原理圖上的節(jié)點(diǎn)terminal,自然可以仿真出電流,但電流有正有負(fù),方向應(yīng)該是從哪頭流到哪頭呢?

2023-12-07 標(biāo)簽:原理圖電流MOS管 2690 0

簡單說一說什么是天線效應(yīng)?消除的辦法有哪些?

天線效應(yīng),或者說它的全稱工藝天線效應(yīng)(PAE,process antenna effect),是一種芯片制造過程中產(chǎn)生的效應(yīng)。

2023-12-06 標(biāo)簽:MOS管芯片制造天線效應(yīng) 2845 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個(gè)題目,可能不少朋友都會滿臉問號,我們知道cell內(nèi)部會有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會有l(wèi)eakage嗎?

2023-12-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管Layout 1464 0

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