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標簽 > mdd
MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上,積累了厚實的研發設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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MB10F 50MIL | Vr=1000V VF=1.1@500mA |
獲取價格
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MB10F 46MIL | Vr=1000V IF=500mA VF=1V@400mA |
獲取價格
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KBU808 | 橋式整流器/整流橋 VRM=800V,IO=8.0A,IFSM=200A,VF=1.0V,IR=10uA |
獲取價格
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KBU610 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=6.0A,IFSM=175A,VF=1.0V,IR=10uA |
獲取價格
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KBU606 | Vr=600V IF=6A VF=1V@6A |
獲取價格
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KBL410 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=4.0A,IFSM=125A,VF=1.0V,IR=10uA |
獲取價格
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KBL406 | 橋式整流器/整流橋 VRM=600V,IO=4.0A,IFSM=125A,VF=1.0V,IR=10uA |
獲取價格
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KBJ406 | 橋式整流器/整流橋 VRM=600V,IO=4.0A,IFSM=135A,VF=1.0V,IR=10uA |
獲取價格
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GBU810 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=8.0A,IFSM=200A,VF=1.0V,IR=10uA |
獲取價格
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GBU808 | 橋式整流器 VRRM=800V If=4A VF=1V CJ=60pF GBU |
獲取價格
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GBU610 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=6.0A,IFSM=175A,VF=1.1V,IR=10uA |
獲取價格
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GBU608 | Vr=800V IF=6A VF=1.1V@3A |
獲取價格
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GBU606 | Vr=600V IF=6A VF=1V@3A |
獲取價格
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GBU410 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=4.0A,IFSM=150A,VF=1.1V,IR=10uA |
獲取價格
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GBU406 | Vr=600V IF=4A VF=1V@2A |
獲取價格
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GBJ5010 | 橋式整流器/整流橋 1kV 50A 1.1V@25A GBJ |
獲取價格
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GBJ3510 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=35A,IFSM=400A,VF=1.0A,IR=10uA |
獲取價格
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GBJ2510 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=25A,IFSM=350A,VF=1.0A,IR=10uA |
獲取價格
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GBJ1510 | Vr=1000V IF=15A [email protected] |
獲取價格
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DB207S | 橋式整流器/整流橋 VRM=100V IF=2.0A VF=1.1V IR=10uA |
獲取價格
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DB207 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000 IF=2.0A VF=1.1V IR=10uA |
獲取價格
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DB157S | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=1.5A,IFSM=50A,VF=1.1V,IR=10uA |
獲取價格
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DB157 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=1.5A,IFSM=50A,VF=1.1V,IR=10uA |
獲取價格
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DB107S | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=1A,IFSM=50A,VF=1.1V,IR=10uA |
獲取價格
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DB107 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=1A,IFSM=50A,VF=1.1V,IR=10uA |
獲取價格
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ABS8 | 橋式整流器/整流橋 VRM=800V,IO=1A,IFSM=30A,VF=0.95V,IR=5uA |
獲取價格
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ABS6 | 橋式整流器/整流橋 VRM=600V,IO=1A,IFSM=30A,VF=0.95V,IR=5uA |
獲取價格
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ABS210 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=2A,IFSM=60A,VF=1.1V,IR=5uA |
獲取價格
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ABS10 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=1A,IFSM=30A,VF=0.95V,IR=5uA |
獲取價格
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2W10 | 橋式整流器/整流橋 VRM=1000V,IO=2.0A,VF=1.0V,IR=10uA |
獲取價格
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