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樂山無線電股份有限公司(簡稱LRC)位于中國西部大開發中心地帶的歷史文化名城——四川樂山,創建于1971年,是以芯片設計、半導體器件制造與銷售的大型電子企業。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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LESD9L5.0CT5G | 瞬態電壓抑制器 |
獲取價格
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HFM106 | 表面貼裝玻璃鈍化高效整流器反向電壓 1A 5uA 1.85V 600V SMA |
獲取價格
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LMDL301T1G | 肖特基二極管 |
獲取價格
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SMBJ36CA | 表面安裝瞬態電壓抑制器電壓,600瓦峰值脈沖功率 |
獲取價格
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LESD8L3.3CT5G | 瞬態電壓抑制器 |
獲取價格
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LBZT52C47T1G | 表面安裝齊納二極管 |
獲取價格
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LMBTA94LT1G | 三極管 PNP Ic=150mA Vceo=400V hfe=75~200 P=350mW SOT23 |
獲取價格
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LEDZ5.1BT1G | 穩壓二極管 |
獲取價格
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LBAS70-06LT1G | 肖特基勢壘二極管 |
獲取價格
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LP1485WT1G | -20V P溝道功率Mosfet |
獲取價格
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L2SC1623SLT1G | 通用晶體管 |
獲取價格
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L2SC4083PWT1G | 三極管 NPN Ic=50mA Vceo=11V hfe=82~180 P=150mW SOT323 |
獲取價格
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LBC858BLT1G | 三極管 PNP Ic=100mA Vceo=30V hfe=220~475 P=225mW SOT23 |
獲取價格
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LTVS16D15H11T5G | 單線單向電視二極管 |
獲取價格
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LRC099-04DT1G | 極性:Unidirectional 反向關斷電壓(典型值):5V (Max) 擊穿電壓(最小值):6V 箝位電壓:8.5V 峰值脈沖電流(10/1000us):5A VRWM=5V,Vc=8.5V,Ipp=5A 單向 |
獲取價格
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LESD9D12T5G | 極性:Unidirectional 反向關斷電壓(典型值):12V (Max) 擊穿電壓(最小值):13.5V 箝位電壓:23.7V 峰值脈沖電流(10/1000us):5.9A VRWM=12V,Vc=23.7V,Ipp=5.9A 單向 |
獲取價格
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LBSS84ELT1G | P溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續漏極電流(Id):130mA 功率(Pd):225mW |
獲取價格
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LSI1012LT1G | 20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L |
獲取價格
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L2SK801LT1G | N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續漏極電流(Id):310mA 功率(Pd):300mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,500mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA N溝道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
獲取價格
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LP9435LT1G | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
獲取價格
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LMUN2113LT1G | 偏置電阻晶體管 PNP 246mW 100mA 50V SOT-23 |
獲取價格
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LMUN5214DW1T1G | NPN,PNP 集電極電流Ic:100mA,直流電流增益hFE:80~140 工作溫度:-50~+150℃ |
獲取價格
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LMUN2216LT1G | 帶預偏置三極管 NPN 246mW 100mA 50V SOT-23 |
獲取價格
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LMUN5211DW1T1G | 2 NPN(雙) 功率(Pd):256mW 集電極電流(Ic):100mA 集射極擊穿電壓(Vceo):50V |
獲取價格
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L2SC1623QLT1G | NPN 集射極擊穿電壓(Vceo):50V 集電極電流(Ic):150mA 功率(Pd):225mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA 特征頻率(fT):250MHz 工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj) |
獲取價格
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LBC846ALT1G | 通用晶體管NPN硅 5nA 65V 225mW 180@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
獲取價格
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L8550PLT1G | 通用晶體管PNP硅 150nA 25V 225mW 800mA 500mV@800mA,80mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L |
獲取價格
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LBC846BDW1T1G | 2個NPN 集射極擊穿電壓(Vceo):65V 集電極電流(Ic):100mA 功率(Pd):380mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V 特征頻率(fT):100MHz |
獲取價格
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LBC817-25WT1G | NPN 集射極擊穿電壓(Vceo):45V 集電極電流(Ic):500mA 功率(Pd):150mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V 特征頻率(fT):100MHz |
獲取價格
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LMBT2907AWT1G | 通用晶體管PNP硅 60V 150mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-323-3 |
獲取價格
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