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標(biāo)簽 > ldmos
LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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飛思卡爾推出面向OEM的工業(yè)RF LDMOS功率晶體管
飛思卡爾半導(dǎo)體公司以合理的性價(jià)比點(diǎn),面向OEM(原始設(shè)備制造商)推出三款先進(jìn)的工業(yè)RF功率晶體管。 增強(qiáng)的耐用性與領(lǐng)先的RF性能結(jié)合,使OEM廠商能...
羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長(zhǎng)市場(chǎng)壽命
羅徹斯特電子與Ampleon合作 支持授權(quán)解決方案 Ampleon創(chuàng)辦于2015年,前身是NXP的射頻功率業(yè)務(wù)部門,在射頻功率領(lǐng)域擁有50多年的領(lǐng)導(dǎo)地位...
一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法
LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管,即橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。隨著對(duì)擊穿電壓要求的提高,對(duì)LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管中場(chǎng)板要求也高。
2024-03-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管LDMOS 1142 0
江西薩瑞微獨(dú)家研發(fā)【一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法】
一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法。在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的背景下,LDM...
2024-04-13 標(biāo)簽:LDMOS半導(dǎo)體器件 708 0
華太電子全新推出的 HTM9GO9S015P 和 H9G3438M15P 兩款 LDMOS 放大器,分別覆蓋 1.8 - 950 MHz 和 3.4 -...
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