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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3072個 瀏覽：254577次 帖子：483個

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      比亞迪自產電動汽車的CPU的核心芯片

      導語：對于目前中國新能源車企極高的市值，很多人都認為存在泡沫，但顯然比亞迪是其中的一個例外。 在2019年年初新能源補貼政策大退坡之后，不少業內人士都看...

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      2012-11-26 標簽：IGBT功率器件Power MOSFET 8880 0

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      ? ? ? （報告出品方/作者：國金證券，樊志遠、劉妍雪、鄧小路）

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      常用的過電流保護措施包括硬件關閉和軟件關閉。硬件關閉意味著在檢測到過流和短路信號時，頁腳的輸出為高，門信號被快速阻止以禁用IGBT。但是，一旦檢測到過電...

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