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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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隨著IGBT技術的發展,IGBT已經從工業擴展到消費電子應用,成為未來10年發展最迅速的功率半導體器件;而在中國市場,軌道交通、家電節能、風力發電、太陽...
飛兆半導體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC...
今天上午,在上海制造的大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過專家鑒定,這一中國首件自主設計制造的“中國芯”不僅邁開了替代進口的步伐,還將在軌道交通...
美高森美為工業應用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT...
在紐倫堡 PCIM Europe 2013 展會中(2013 年 5 月 14 日至 16 日),英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQ...
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會上突...
2013-06-19 標簽:英飛凌IGBTTRENCHSTOP 5 1128 0
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固可靠的全新1200V超高速...
英飛凌高級總監徐輝表示,英飛凌進一步豐富了自己的汽車電子產品線,滲入各個細分市場,形成了最為全面的新能源產品和解決方案。
IR推出采用SOT-23-5L封裝的IRS44273L緊湊型低側柵極驅動IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封裝...
富士電機直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。在海外,該模塊已被用于2012年底上市的混合動力車(H...
英飛凌推出EiceDRIVER?SIL和EiceDRIVER?Boost,用于汽車級IGBT驅動
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 今天推出新一代應用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅動器。有了專為混合動力/電動...
2013-05-27 標簽:IGBTEiceDRIVER?Boost 1662 0
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)持續擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產品陣容,應用于消費類電器及工...
IGBT業者正積極搶進600伏特以下的低電壓應用。全球經濟不穩定,加上主要應用市場競爭日益激烈,使得IGBT產業近來成長趨緩。為開創成長新契機,IGB...
Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay R...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch thro...
沖電氣(OKI)向安森美半導體歐洲工廠提供排氣處理設備,既能完成常壓CVD制膜過程的排氣處理又同時確保制膜穩定性,支持客戶生產過程的環保。
IR推出能簡化器件選擇和優化的IGBT產品在線選型和性能評估工具
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日提升絕緣柵雙極晶體管 (IGBT...
德州儀器 (TI) 宣布推出業界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI...
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