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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3071個 瀏覽：254564次 帖子：483個

      igbt資訊

      IR為混合動力汽車和電動車推出600V車用IGBT

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      全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR）近日發布600V車用IGBT產品AUI...

      2014-12-11 標簽：IRIGBT 2520 0

      IR為高功率工業應用推出新IGBT模塊系列

      2014年11月10日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出...

      2014-11-11 標簽：IRIGBT太陽能逆變器 2435 0

      IR推出650V器件以擴充超高速溝道IGBT系列

      2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出...

      2014-10-21 標簽：IGBTIR公司IRGP47xx 2266 0

      Vishay新款IGBT模塊為太陽能逆變器和UPS提供集成方案

      賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：...

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      IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

      全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場截止絕...

      2014-08-19 標簽：IGBTIR公司IR66xx 2889 0

      IGBT的崛起——國產功率器件的曙光

      IGBT是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發展方向。

      2014-08-05 標簽：智能電網電機控制IGBT 2303 0

      IR擴充堅固可靠的600V節能溝道IGBT系列

      全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管...

      2014-05-14 標簽：IRIGBT 1625 0

      專有的 Optoplanar 封裝技術助力高級 2.5 A 輸出光電耦合器

      該光電耦合器可實現快速開關驅動功率 IGBT 和 MOSFET ，同時提高系統效率，絕緣工作電壓額定值 （VIORM） 為 1，414 V，比競爭產品高...

      2014-03-25 標簽：MOSFETIGBT光電耦合器 980 0

      Vishay發布寬體IGBT和MOSFET驅動器 可用于高壓應用領域

      日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及...

      2014-03-25 標簽：MOSFETVishayIGBT 883 0

      國產IGBT功率器件步入快速發展階段

      在中國，為了適應大環境的需求，扶持相關企業的健康發展，國家在新能源、節能環保方面出臺了一系列支持性的政策措施，在政府和市場的雙重推動下，功率半導體行業正...

      2014-03-11 標簽：IGBT功率器件 1754 0

      IR推超高速IGBT 為感應加熱和軟開關應用作出優化

      全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝...

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      英飛凌為感應加熱應用推出新一代逆導IGBT

      英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導（RC） 軟開關IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產品組合。新的20A RC-...

      2014-02-24 標簽：英飛凌IGBT 1006 0

      國家政策支持，中國功率半導體將迎來黃金發展期

      據中國半導體行業協會的相關人士透露，有關促進集成電路發展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協調。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路...

      2014-01-21 標簽：IGBTSiC功率半導體 1945 0

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      4G商用帶動產業鏈大發展 網絡建設成關鍵，新能源應用加持IGBT市場商機無限，藍牙4.0超越過往 三大操作系統支持飛速發展，

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      飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業應用為目標，如太陽能逆變器、不間...

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      Amantys加快在中國的發展并宣布實力強勁的分銷網絡伙伴

      2013年10月22日 – 繼今年6月在上海設立銷售辦事處之后，Amantys又宣布了三家主要分銷和代理合作伙伴，以推廣和銷售其IGBT柵極驅動器系列產品。

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      Amantys針對高功率模塊的4500V Amantys Power DriveTM 驅動器進入中國市場

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        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉串口調試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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