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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      igbt資訊

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      11月12日，在慕尼黑電子展“electronica 2016”上，德國英飛凌科技公司在其展位的醒目位置展示了特斯拉的純電動SUV“Model X”，M...

      2016-11-14 標簽：英飛凌IGBT慕尼黑電子展 1510 1

      功率半導體市場大幅增長 SiC躋身電源組件主流

      過去幾年來，碳化硅（SiC）型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發展。推動此項市場發展的力量包括下列趨勢：節能、縮減體積、系統整...

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      由中國電器工業協會電力電子分會組織的“中國中車完全自主知識產權6500V大功率IGBT芯片與模塊產品鑒定暨發布會”在西安召開，經專家組評議一致認為：由上...

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      根據市場調研機構Yole的報告顯示，全球IGBT市場規模在未來幾年時間將繼續保持穩定的增長勢頭，市場規模至2018年將達到60億美元的數值。 在產品分布...

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      Mentor Graphics 推出獨特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案

      　　俄勒岡州威爾遜維爾，2016 年 5 月 23 日—Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布推出全新的 MicReD? ...

      2016-05-24 標簽：IGBT晶體管Mentor Graphics 2364 0

      安森美半導體進一步擴展IGBT系列推出基于第三代超場截止技術的1200 V器件

      　　2016 年 5月10日- 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON），推出新系列絕緣柵雙極晶體...

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      Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中

      中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的...

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      自主可控，2020年中國IGBT超180億元

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