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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效
英飛凌以“我們賦能世界”為主題,在展會上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術(shù)和功能更集成的一系列新產(chǎn)品和技術(shù)。
電動汽車成為增長動能 2021年IGBT產(chǎn)值預(yù)估將突破52億美元
根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報告指出,電動汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長動能,預(yù)估在2021年電動汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。預(yù)估20...
電動汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長動能,預(yù)計到2021年電動汽車將達到年產(chǎn)800萬輛,為2018年的兩倍。
2019年世界IGBT市場總值將達到48.4億美元 同比增長2.8%
據(jù)報道:電動汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長動能,預(yù)計到2021年電動汽車將達到年產(chǎn)800萬輛,為2018年的兩倍。電動汽車的關(guān)鍵零組件IGBT,是傳統(tǒng)...
受益于電動汽車發(fā)展,IGBT產(chǎn)值2021年突破52億美元
電動汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長動能,預(yù)計在2021年電動汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。
總投資200億元!名芯半導(dǎo)體項目落戶贛州經(jīng)開區(qū)
名芯半導(dǎo)體項目總投資200億元,將分兩期建設(shè)
2019-06-12 標(biāo)簽:IGBT 8051 0
滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高 增長14%
根據(jù)2019年的報告,功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù),再創(chuàng)新高。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有...
2019-05-15 標(biāo)簽:IGBT 3.9萬 1
從功率半導(dǎo)體廠商去年業(yè)績亮眼,相繼導(dǎo)入IGBT市場
受益于國產(chǎn)替代的政策推動和缺貨漲價的狀況,2018年功率半導(dǎo)體廠商財報表現(xiàn)普遍亮眼。
2019-05-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 4544 0
耕耘細(xì)分市場,士蘭微電子打破了國外公司對于 IGBT器件的長期壟斷
近期,士蘭微電子推出了應(yīng)用于家用電磁爐的1350V RC-IGBT系列產(chǎn)品。
安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器
AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù),提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,用于多方面的電源應(yīng)用,包括那些將得益于更低反向恢...
世強及世強元件電商全面代理Pakal,上線IGTO產(chǎn)品及其相關(guān)資料
另一方面,IGTO與現(xiàn)有的IGBT供應(yīng)鏈完全兼容,從控制器到驅(qū)動器再到無源組件,部署IGTO所需的工作量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過對更高效率的要求。由Pakal研發(fā)的IG...
2019-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT半導(dǎo)體器件 6224 0
IGBT由柵極(G)、發(fā)射極(E)和集電極(C)三個極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
2019-04-24 標(biāo)簽:IGBT 8.8萬 2
從工業(yè)到智慧工業(yè),半導(dǎo)體廠商可以做什么?
從第一次工業(yè)革命開始到現(xiàn)在,工業(yè)領(lǐng)域發(fā)生了翻天覆地的變化,現(xiàn)在及未來的工業(yè)將會更加智能化。
意法半導(dǎo)體推出的新產(chǎn)品專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計 適用于最高功率4kW的應(yīng)用
意法半導(dǎo)體新IH系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族,適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路,現(xiàn)在...
2019-03-27 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT軟開關(guān) 1789 0
TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動器,具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護
新型TI柵極驅(qū)動器提供先進的監(jiān)控和保護功能,同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性,同時擁有...
需求持續(xù)擴張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.7...
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