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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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周報(bào):產(chǎn)能吃緊 供應(yīng)鏈“缺貨漲價(jià)”恐延至明年Q2
此外,從10月份分區(qū)域的經(jīng)銷商庫(kù)存預(yù)警指數(shù)來(lái)看,10月份全國(guó)總指數(shù)為54.1%,北區(qū)指數(shù)為55.4%,東區(qū)指數(shù)為53.3%,西區(qū)指數(shù)為55.9%,南區(qū)指...
臺(tái)積電獲準(zhǔn)繼續(xù)向華為供貨 英飛凌在進(jìn)博會(huì)上宣布最新在華投資計(jì)劃
11月6日,英飛凌在第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)上宣布,將新增在華投資,擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。無(wú)錫工廠擴(kuò)產(chǎn)后,將成為英飛凌最大的IGBT生產(chǎn)基...
英飛凌在進(jìn)博會(huì)上宣布最新在華投資計(jì)劃
今日,英飛凌在第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)上宣布,將新增在華投資,擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。
2020-11-06 標(biāo)簽:英飛凌智能電網(wǎng)IGBT 733 0
英飛凌計(jì)劃擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線
英飛凌中國(guó)官方消息顯示,11月6日,英飛凌在第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)上宣布,將新增在華投資,擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。無(wú)錫工廠擴(kuò)產(chǎn)后,將成為英...
2020-11-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體IGBT 3613 0
SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)分析
SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了,大眾視野中很少會(huì)提及到SiC IGBT產(chǎn)品,并不是沒(méi)有,只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言,SiC器件的制...
我們用的 IGBT,在核心元件表面,還有一層“果凍”,這個(gè)果凍起什么作用?我估計(jì)有以下可能目的: 1,散熱 2,絕緣 3,保護(hù)核心元件工作時(shí)不氧化? 4...
2022-12-08 標(biāo)簽:IGBT 847 0
揚(yáng)杰科技針對(duì)工業(yè)焊機(jī)、感應(yīng)加熱、電磁爐等高頻應(yīng)用領(lǐng)域, 推出IGBT高頻系列模塊新品
產(chǎn)品特點(diǎn) ◆最高結(jié)溫Tjmax=150℃; ◆低關(guān)斷損耗,適合高頻應(yīng)用; ◆具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管; ◆具有高短路支撐電流能力(...
2020-10-27 標(biāo)簽:IGBT高頻感應(yīng)加熱 1921 0
揚(yáng)杰科技針對(duì)工業(yè)變頻器等領(lǐng)域,推出IGBT變頻器系列模塊新品
IGBT 變頻器系列產(chǎn)品涵蓋C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等多款封裝外形,具有多種靈活的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
關(guān)于先藝電子 廣州先藝電子科技有限公司創(chuàng)立于2008年12月,是集先進(jìn)封裝連接材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),是國(guó)內(nèi)知名的微組裝材料解決...
全球IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)迅速,年復(fù)合增長(zhǎng)率為7%左右
自2005年,比亞迪就布局IGBT產(chǎn)業(yè)。2009年9月,比亞迪半導(dǎo)體自研的IGBT 1.0芯片成功通過(guò)中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)組織的科技成果鑒定。
緊挨工業(yè)大街,石家莊循環(huán)化工園區(qū)內(nèi)占地30畝的河北昂揚(yáng)微電子科技有限公司(以下稱昂揚(yáng)公司),除了一棟還未完工的辦公樓,就是空蕩蕩的荒地。 昂揚(yáng)公司曾是一...
IGBT單管TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品概述
TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝,電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來(lái)更高的擊穿電壓(650V)、一流...
深度分析:IGBT的國(guó)產(chǎn)可替代的機(jī)遇與風(fēng)險(xiǎn)
前言: 隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移,我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上,是全球最大的IGBT市場(chǎng)。 但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口,在中高端領(lǐng)域更是9...
河北“明星”芯片廠夭折:公司買地建完一棟樓就沒(méi)錢了
緊挨工業(yè)大街,石家莊循環(huán)化工園區(qū)內(nèi)占地30畝的河北昂揚(yáng)微電子科技有限公司(以下稱昂揚(yáng)公司),除了一棟還未完工的辦公樓,就是空蕩蕩的荒地。 昂揚(yáng)公司曾是一...
近日,華潤(rùn)微電子有限公司(簡(jiǎn)稱:華潤(rùn)微電子)舉行投資者關(guān)系活動(dòng),華潤(rùn)微電子董事、助理總經(jīng)理兼財(cái)務(wù)總監(jiān)彭慶、華潤(rùn)微電子董事會(huì)秘書兼戰(zhàn)略發(fā)展部總監(jiān)吳國(guó)屹參與...
2020-10-17 標(biāo)簽:芯片IGBT華潤(rùn)微電子 3019 0
簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...
比亞迪半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)10余年的發(fā)展,已成為國(guó)內(nèi)自主可控的車規(guī)級(jí)IGBT領(lǐng)導(dǎo)廠商,成功打破國(guó)外壟斷。在中國(guó)車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)占據(jù)18%份額的比亞迪半導(dǎo)體是如何成長(zhǎng)的?
芯派科技:在原有單管功率循環(huán)設(shè)備上增購(gòu)了IGBT模塊功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)
隨著電子行業(yè)的飛速發(fā)展,IGBT模塊在新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)電子電力系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、新能源裝備等新型產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域得到了更廣泛的應(yīng)用,與...
2020-10-12 標(biāo)簽:IGBT功率循環(huán)測(cè)試 7399 0
IGBT產(chǎn)業(yè)鏈與三種業(yè)務(wù)模式以及技術(shù)趨勢(shì)
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體細(xì)分為功率器件(分立器件的一支)和功率IC(...
2020-10-12 標(biāo)簽:IGBT 1.1萬(wàn) 0
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