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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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封裝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新使得雙面散熱(double-sided cooling, DSC)功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱(single-sided cooling, SS...
上海林眾電子智能質(zhì)造中心車墩項(xiàng)目基地順利奠基
2023年2月26日上午,上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項(xiàng)目基地開工儀式隆重舉行。林眾電子本次建設(shè)的智能質(zhì)造中心項(xiàng)目位于上海市松江區(qū),土建投資3....
超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器設(shè)計(jì)
超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器采用新型的復(fù)合頻率跟蹤策略,實(shí)現(xiàn)逆變輸出功率因數(shù)接近為1,以IGBT功率器件構(gòu)成的全橋移相功率控制方式,超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器...
近年全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能增長情況,依中國與國際業(yè)者分為兩個(gè)階段,2021~2023年由中國業(yè)者主導(dǎo),在IGBT芯片自給率低,急需國產(chǎn)替代的趨勢下。
翠展微電子全面加強(qiáng)體系建設(shè) 筑牢高質(zhì)量發(fā)展基石
? 翠展微電子 全面加強(qiáng)體系建設(shè); 繼往開來?開拓進(jìn)取?奮勇爭先 ? ? ? 據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計(jì)與分析,2022年IGBT因電動...
上能電氣+安森美聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌圍繞半導(dǎo)體器件應(yīng)用展開高水平合作
2月22日,上能電氣與安森美半導(dǎo)體(onsemi)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌成立。安森美亞太區(qū)高級副總裁David Chow、中國區(qū)銷售副總裁Roy Chia,上能...
IGBT是什么材料 IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷;內(nèi)部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)...
2023-02-22 標(biāo)簽:IGBT 6883 0
賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)代替進(jìn)口的進(jìn)程加速
1700V是IGBT的主流電壓等級之一,廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無功補(bǔ)償(SVG)、智能電網(wǎng),以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。
國產(chǎn)功率器件供應(yīng)商無錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號
近日,無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號。 在過去的一年中,新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量、先進(jìn)的產(chǎn)品技術(shù)水平、穩(wěn)定的產(chǎn)能和交付周期與寧波德...
車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元
按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過70%...
什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫,IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件單體(分立產(chǎn)品)與驅(qū)動電...
IGBT單管是一種N溝道增強(qiáng)絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源極區(qū),連接到其上的電極稱為源極區(qū)。P+區(qū)域稱為漏極區(qū)。器件的控制區(qū)域是柵極區(qū)域,連接到...
淺談MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對措施
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中,所需要面對一個(gè)常見的問題 — 米勒效應(yīng),本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對方法。
2023-02-10 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBTMOS 1.1萬 0
通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性-什么是雙脈沖測試?
我們開設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transi...
2023-02-09 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 1317 0
ROHM獨(dú)有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于...
是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片;1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù);低開關(guān)損耗;正溫度系數(shù);簡單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動器、...
IGBT是一個(gè)受門極電壓控制開關(guān)的器件,只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開關(guān),在實(shí)際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化d...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高速開關(guān)器件 2280 0
2021 ~ 2027年IGBT全球市場規(guī)模CAGR將達(dá)7%
絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)受益于新能源與碳中和發(fā)展趨勢,2021~2027年市場規(guī)...
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MO...
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