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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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雙脈沖測(cè)試能反映IGBT實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中電應(yīng)力嗎?
通常情況下,為了測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)特性,我們都會(huì)搭建一個(gè)通用的雙脈沖測(cè)試平臺(tái)。測(cè)試平臺(tái)的功率回路部分包含了疊層母排、母線(xiàn)電容、待測(cè)功率器件和驅(qū)動(dòng)電路。雙脈沖...
驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開(kāi)通振蕩。
2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 4625 0
雙脈沖測(cè)試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力
大家好,前段時(shí)間在知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問(wèn):“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測(cè)試評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特征,在實(shí)際中有可比性嗎?”感覺(jué)這個(gè)問(wèn)題提的比較好,也是...
IGBT和SiC電源開(kāi)關(guān)知識(shí)科普
IGBT 和 SiC 電源開(kāi)關(guān)有哪些市場(chǎng)和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn),大功率應(yīng) 用的...
2022-03-18 標(biāo)簽:IGBT電源開(kāi)關(guān)SiC 8367 0
我們知道本征半導(dǎo)體是不導(dǎo)電的,好比純水的導(dǎo)電性不強(qiáng),想要它導(dǎo)電,就摻上雜質(zhì)。讓水導(dǎo)電就給他加鹽,產(chǎn)生離子,讓半導(dǎo)體導(dǎo)電,就摻上三價(jià)或者五價(jià)元素,形成空穴...
RC-IGBT 技術(shù)帶來(lái)更多動(dòng)力
多年來(lái),市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求一直在增加,需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過(guò)增加給定封裝尺寸的輸出功率來(lái)實(shí)現(xiàn)的,這與系...
2022-02-22 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT功率半導(dǎo)體 4216 0
然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們都會(huì)遇到一個(gè)相同的困惑:器件的選型著實(shí)令人頭疼。對(duì)此,小編感同身受。今天,我們就一起來(lái)看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
東芝IGBT GT30J110SRA在家電產(chǎn)品中的應(yīng)用
提及IGBT應(yīng)該每一個(gè)電子工程師都不會(huì)陌生,IGBT是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。從功...
銀 (Ag)/銅 (Cu) 壓力燒結(jié)(見(jiàn)圖 1)是一種應(yīng)用于粉末材料(即納米顆粒)的熱處理工藝,以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。
2021-11-12 標(biāo)簽:熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3562 0
仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)...
本文對(duì)IGBT模塊的等效熱路模型展開(kāi)基礎(chǔ)介紹,所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設(shè)計(jì)。
2021-08-20 標(biāo)簽:散熱器IGBT散熱系統(tǒng) 8137 0
對(duì)于本文所述的半導(dǎo)體,該值大約是一半的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。這對(duì)100fit(單位時(shí)間間隔內(nèi)的失效次數(shù);1fit=每小時(shí)失效1小時(shí)失-9次,即,器件工作10...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-07-04 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT柵極 3198 0
運(yùn)動(dòng)控制設(shè)備的具體表現(xiàn)
無(wú)刷直流電機(jī)提供穩(wěn)健性和可靠性,并且易于構(gòu)建和控制。無(wú)刷直流電機(jī)是一種將直流電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的電動(dòng)機(jī)。它使用磁場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)。由永磁轉(zhuǎn)子和旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)定子組成...
2021-06-26 標(biāo)簽:PWMIGBT數(shù)字信號(hào)處理器 2390 0
IGBT是—種場(chǎng)控器件,它的開(kāi)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定,當(dāng)柵射電壓UCE為正且大于開(kāi)啟電壓UCE(th)時(shí),MOSFET內(nèi)形成溝道并為PN...
ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析
本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以...
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4583 0
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