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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
IGBT,電力電子的CPU!小小功率半導(dǎo)體器件,卻在很多電力電子相關(guān)的領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。近年來,IGBT發(fā)展迅猛,英飛凌以及日本廠商不斷針對各類應(yīng)用...
2020-10-27 標簽:IGBT 2.5萬 0
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的設(shè)備,它的主要原理是利用半導(dǎo)體器件(如場效應(yīng)管或晶閘管等)的開關(guān)特性,通過快速切換來控制電源電壓和電流,從而實現(xiàn)將直流...
2023-06-28 標簽:場效應(yīng)管晶閘管逆變器 2.5萬 0
對新能源車來說,電池、VCU、BSM、電機效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當屬電機驅(qū)動部分,而電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
IGBT的開關(guān)頻率不是算出來的,只能是在變頻電源生產(chǎn)廠家生產(chǎn)時測試它工作的最高頻率,正常時候,我們使用之前都需要先確定讓其大概工作在多少頻率段,并經(jīng)過實...
2023-02-26 標簽:IGBT變頻電源開關(guān)頻率 2.4萬 0
漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
IGBT封裝流程及其原理分析,簡潔明了的告訴你如何測試IGBT
散熱管理設(shè)計方面,通過采用封裝的熱模擬技術(shù),優(yōu)化了芯片布局及尺寸,從而在相同的ΔTjc條件下,成功實現(xiàn)了比原來高約10%的輸出功率。
IGBT的三種安全工作區(qū)(FBSOA/RBSOA/SCSOA)
失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深...
利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)
當IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合,...
工業(yè)電機驅(qū)動IGBT過流和短路保護的問題及處理方法
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的 短路電...
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標簽:IGBT驅(qū)動電路半導(dǎo)體器件 2.0萬 0
MOS管,IGBT,以及三極管他們有什么區(qū)別?正向單流柵極IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計
在低壓下 igbt相對mos管在電性能和價格上都沒有優(yōu)勢,所以基本上看不到低壓igbt,并不是低壓的造不出來,而是毫無性價比。在600v以上,igbt的...
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