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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3068個 瀏覽：254400次 帖子：482個

      igbt技術

      英飛凌IGBT模塊命名規則

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      2023-11-23 標簽：英飛凌IGBT功率器件 2478 0

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      2023-06-14 標簽：變頻器IGBT驅動電機 2472 0

      雙界面散熱結構IGBT的熱測試方法與結果分析

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      2023-01-07 標簽：散熱器IGBT 2471 0

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      2023-03-31 標簽：三極管MOS管IGBT 2466 0

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      IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

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      2021-05-18 標簽：電動汽車二極管IGBT 2458 0

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      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的高性能半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優點。然而，由于IGBT的驅動電路...

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