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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進(jìn)精電動(dòng)招股說(shuō)明書,電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動(dòng)電機(jī)總成(將動(dòng)力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機(jī)械能,是輸出動(dòng)力的來(lái)源)、控制器總成(基于功...
使用工業(yè)級(jí)熱特征提取方法提高大功率半導(dǎo)體的測(cè)試與故障診斷速度
隨著消費(fèi)者和工業(yè)電子系統(tǒng)不斷增長(zhǎng)的能源需求,電子電力元器件供應(yīng)商以及OEM 面臨著為航空、電動(dòng)車、火車、發(fā)電設(shè)備以及可重復(fù)使用能源生產(chǎn)提供高可靠性系統(tǒng)的...
Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來(lái)了無(wú)限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
連續(xù)幾個(gè)月都在討論仿真的學(xué)習(xí)方法和內(nèi)在原則,未來(lái)在尺度方面還會(huì)有繼續(xù)的引申。這一類文章更適合于有仿真經(jīng)驗(yàn)的學(xué)習(xí)者。
柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響
階段1(0—t1),在t=0時(shí)刻,開關(guān)S動(dòng)作,lGBT開始關(guān)斷,柵極通過(guò)RG開始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過(guò)溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)...
IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響
階段2(tl—t2):在t1時(shí)刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過(guò)溝道注入到基區(qū),同時(shí)背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流I...
今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽(yáng)能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會(huì)...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在電焊機(jī)中的應(yīng)用
IGBT在逆變焊機(jī)中能將逆變電路的直流電變成幾十khz的交流電,經(jīng)過(guò)主變壓器降壓后,再經(jīng)過(guò)整流濾波獲得平穩(wěn)的直流輸出焊接電流,讓電焊機(jī)的功能得到極大的提...
BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管
BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動(dòng)兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。
2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 791 0
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。
2023-07-13 標(biāo)簽:三極管IC設(shè)計(jì)MOS管 2272 0
電機(jī)控制器的功率模塊,即IGBT器件和續(xù)流二極管,在開關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗,損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能,表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
純電動(dòng)或混動(dòng)動(dòng)力汽車上的電機(jī)控制器MCU(Motor Control Unit),其主要功能就是將電池的高壓直流電,轉(zhuǎn)換為交流電,來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)行。
階段6(t6—t7):在t6時(shí)刻,VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(s...
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