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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析
本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以...
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4584 0
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見測(cè)試方法,其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性,確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
有什么IGBT是可以替代FGH40N60SFD這款型號(hào)呢?
為什么要找替代的IGBT?因?yàn)槊鎸?duì)世界的不穩(wěn)定因素,國(guó)內(nèi)如果有好的電子元器件替代的話,為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理,利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場(chǎng),該磁場(chǎng)的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時(shí)會(huì)產(chǎn)生無數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動(dòng)動(dòng)產(chǎn)生...
2023-06-29 標(biāo)簽:mcu線圈開關(guān)電源 4538 0
IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。正確判斷IGBT的好壞對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 1. IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:數(shù)字萬用表IGBT電源轉(zhuǎn)換 4535 0
什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)
對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱,標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀...
對(duì)于變頻器的維修,總的來說,首先要對(duì)其工作原理有較透徹的理解,對(duì)每個(gè)電路的性能指標(biāo)、工作點(diǎn)及器件的性能、好壞都能有一個(gè)正確的判別,才能真正地修好每一臺(tái)設(shè)...
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4474 0
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT過流和短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可以在相對(duì)惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,其中可能發(fā)生高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯(cuò)誤和其他突發(fā)事件。其中一些事件可能導(dǎo)致電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電路中流動(dòng)較...
2023-01-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 4464 0
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇...
2022-10-09 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器IGBT 4447 0
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT有何意義?IGBT失控?cái)?shù)據(jù)變化準(zhǔn)則
嚴(yán)格來說,器件靜電損傷也屬于過電壓應(yīng)力損傷,靜電型過電應(yīng)力的特點(diǎn)是:電壓較高,能力較小,瞬間電流較大,但持續(xù)的時(shí)間極短,與一般的過電應(yīng)力相比,靜電型損傷...
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件,且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器逆變器 4387 0
igbt驅(qū)動(dòng)電路工作原理 igbt驅(qū)動(dòng)電路和場(chǎng)效管驅(qū)動(dòng)區(qū)別
IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-23 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路雙極晶體管 4386 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 標(biāo)簽:IGBT英飛凌科技FZ1200R45HL3 4357 0
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