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Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布達成協議，收購垂直氮化鎵(GaN...
? 電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）所謂高頻QR控制器是一種功率轉換器控制技術，它通過快速切換（高頻）和準諧振（QR）模式來優(yōu)化能量轉換效率。這種控制器在...
盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結MOSFET(例如意法...
Mini-Circuits收購ADI CATV放大器業(yè)務，擴充產品線并提升行業(yè)地位
據官方公告，此次交易包含Analog Devices的75歐姆GaAs與GaN金屬化合物放大器產品系列及其關聯生產與測試設備。此外，原產品研發(fā)團隊將全數...
頗有前景的半導體替代材料：SiC和GaN適用范圍及優(yōu)缺點介紹
自1954年以來，硅一直是先進技術發(fā)展的重要基石。人們普遍認為，硅作為電子元件基礎結構核心材料的地位不可動搖。
華潤微電子（重慶）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項發(fā)明主要涉及在襯底上構建外延疊層，并在此基礎上制備柵極、漏極和源極；同時，在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層，并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導體材料，因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢，在汽車和移動手機市場中展現出巨大的商業(yè)潛力。
相較于傳統(tǒng)的兩級架構，這款新GaN電源IC采用750V PowiGaN?氮化鎵開關管、零電壓開關(無需有源鉗位)和同步整流技術，且無需使用單獨的DC-D...
年復合增長率達32.6%！車載SiC和工業(yè)GaN前景暢旺，產業(yè)鏈廠商進展如何
近日，第三代半導體領域的國際領先廠商意法半導體公布了最新的財報，ST SiC領域2023年收入達到14億美元，計劃在2024年實現15億美元的收入，到2...
奔向太空!EPC Space推動耐輻射GaN功率器件全球布局
近日，EPC Space宣布與全球領先的電子元件和服務分銷商——安富利(Avnet)簽署了一項重要的分銷協議。根據協議，安富利將成為EPC Space耐...
京東方華燦深耕LED性能研究，拓寬Mini/Micro LED應用邊界
近年在LED上游企業(yè)努力下，更小尺寸的LED芯片在良率以及性能上持續(xù)提升，Mini/Micro LED技術得以穩(wěn)步發(fā)展。
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）今年一月，電子發(fā)燒友網曾報道專注于垂直GaN器件的美國GaN IDM初創(chuàng)公司NexGen Power Systems破產倒...
KLA Instruments?為儀器行業(yè)提供值得信賴的量測技術
2024一開年，科學儀器行業(yè)便迎面而來一大新政策。3月13日國務院印發(fā)《推動大規(guī)模設備更新和消費品以舊換新行動方案》。
EcoGaN?被臺達電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器“C4 Duo”采用！
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V GaN器件（EcoGaN?），被臺 達電子（Delta Electron...
來源：德州儀器 引言 隨著技術的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網供電。同樣，為了...
近日，有消息透露，英諾賽科公司正籌備在今年內赴香港進行首次公開募股（IPO），預計融資規(guī)模將達到約3億美元。
德州儀器正在將其多個工廠的氮化鎵（GaN）芯片生產從6英寸晶圓轉換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達拉斯和日本會津的8英寸晶圓準備設備，這將使其能夠提供...
3.14-17日，中國家電及消費電子博覽會（AWE），在上海新國際博覽中心順利舉辦。
英飛凌現已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構涉嫌侵犯有關GaN技術的美國專利，尋求永久禁令。
2024-03-15 標簽：英飛凌傳感器系統(tǒng)GaN 1405 0
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