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      標簽　>　gan

      gan

      廠商產品 +關注19人關注

      文章：1903個 瀏覽：76196次 帖子：160個

      gan資訊

      新一代功率半導體開發競爭激烈，亞洲企業紛紛涉足

      　與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

      2013-12-30 標簽：SiCGaN功率半導體 913 0

      明星企業齊聚PEC電力電子，共討行業發展新趨勢

      由愛戴愛集團主辦，《Bodo’s功率系統》協辦的PEC中國國際電力電子峰會暨產品展示會—蘇州站將于10月25日在蘇州會議中心隆重開幕。截止日前，英飛凌科...

      2013-10-15 標簽：IGBTSiCGaN 1195 0

      PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術與發展展望

      據權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場...

      2013-09-18 標簽：電力電子SiCGaN 2892 0

      富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產品

      今天，富士通半導體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設計出體積更小、效率更高電源組件，可廣...

      2013-07-23 標簽：功率器件GaN 1261 0

      功率半導體觀察：SiC和GaN飛速發展的時代

      　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉換器等功率電子產品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環境負荷等背景下，該展會的規模逐年擴大，2013年共...

      2013-07-09 標簽：SiCGaN功率半導體 3821 0

      飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

      日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有...

      2013-06-09 標簽：飛思卡爾GaNLDMOS 2051 0

      未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場，將以18%速度增長

      在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。據有...

      2013-04-26 標簽：SiCGaN功率半導體 1745 0

      日企聚焦GaN功率元件，耐壓600V產品成主流

      Si之后的新一代功率半導體材料的開發在日本愈發活躍。進入2013年以后，日本各大企業相繼發布了采用SiC和GaN的功率元件新產品，還有不少企業宣布涉足功...

      2013-04-19 標簽：GaN功率元件 2045 0

      首爾半導體推出利用GaN晶體非極性面的白色LED

      　韓國首爾半導體開發出了在1mm見方藍色LED芯片上組合熒光材料，實現了光通量為500lm左右的白色LED，并在“日本第5屆新一代照明技術展”上展出。該...

      2013-01-23 標簽：LED首爾半導體GaN 1263 0

      新一代功率器件將在2013年迎來技術大挑戰

      SiC和GaN作為新一代的半導體功率器件，由于其開關高速、高頻工作和高溫工作燈特點，受到了廣大關注。隨著鐵路和工業設備應用增加，在2013年，這兩款器件...

      2013-01-21 標簽：功率器件SiCGaN 786 0

      GaN襯底 中國LED企業與國外廠家同時起跑

      　目前市場上LED用到的襯底材料有藍寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍寶石，而就全球範圍來看...

      2012-11-28 標簽：LED歐司朗GaN 2421 0

      功放如何為智能手機提供最佳效率

      隨著許多大城市相繼推出LTE和TD-LTE以及智能手機輕薄化要求不斷提升，集成度和性能的重要性前所未有。因此，功放必須在這兩方面進一步提高，以幫助移動設...

      2012-10-08 標簽：td-lte功放GaN 3436 0

      SOITEC與四聯合作開發GaN晶片 大大降低LED成本

      SOITEC與重慶四聯光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達成了協議。GaN晶體模板在LED的生產中能大大降低成本。

      2012-07-10 標簽：LEDGaNSOITEC 1062 0

      SiC上沉積的GaN最新技術

      為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。

      2011-12-01 標簽：SiCGaN 1709 0

      硅上GaN LED分析

      硅上GaN LED 不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延...

      2011-11-02 標簽：LEDGaN 2079 0

      S波段寬帶GaN放大器的設計

      S波段寬帶GaN放大器的設計

      本文使用Agilent ADS 仿真軟件設計實現一款GaN 寬帶功率放大器， 并對放大器進行了詳細測試， 驗證了放大器在S 波段2 GHz 帶寬內的寬帶...

      2011-08-10 標簽：放大器寬帶GaN 2282 0

      瑞薩電子發表適用于CATV的GaN功率放大器模組MC-7802

      先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)日前發表適用于1GHz有線電視(CATV)系統的氮化鎵(GaN)功率放大器模組...

      2011-07-11 標簽：功率放大器CATVGaN 1400 0

      首款面向衛星通信應用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

      科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

      2011-06-23 標簽：功率放大器衛星通信GaN 2452 0

      IMEC開發出最新的硅襯底芯片

      IMEC與其合作伙伴共同開發了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術,IMEC介紹了該技術可實現大尺寸生產和兼容性好的優勢

      2011-06-08 標簽：IMECGaN襯底芯片 1436 0

      田村制作所攜手光波開發出氧化鎵基板GaN類LED元

      日本田村制作所與光波公司宣布，開發出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板

      2011-03-29 標簽：光波GaN田村制作所 1232 0

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      編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題

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