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GaN和SiC能促電動汽車電池降本? 一大波半導體器件商表關(guān)注
迄今為止,電動汽車電池的價格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車電子領(lǐng)域的兩項半導體新技術(shù),它們也許可以改變這一切。 較新的化...
近幾年,基于大量真實人臉數(shù)據(jù)的學習,計算機習得高超的變臉能力,制作周期大為縮短,成本大幅降低。使用一臺個人電腦或者手機,加上原始的照片、視頻素材和基本的...
隨著充電技術(shù)的不斷創(chuàng)新,充電效率得到了巨大的提升。普通慢如蝸牛的充電方式逐漸被快充形式所取代。 2019年,快充行業(yè)的飛速發(fā)展,人們對于USB-PD快充...
Transphorm的GaN被用于AES供應大型客機的最新電源
首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體的設計和制造領(lǐng)導者Transphorm Inc.今天確認,其客戶AES ...
Transphorm十年專注引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新
目前,Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術(shù)。該技術(shù)的閾值將提高到4.0V,提高了其抗噪能力和器件性能,無需負柵極驅(qū)動,并且相比上...
2019-12-13 標簽:GaNTransphorm 4794 0
西安電子科技大學研發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管
西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制,創(chuàng)新性開發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管,相關(guān)研究成果在國際權(quán)威期刊《Advanc...
提高頻率是減小尺寸的一種行之有效的方法。對于移動系統(tǒng)而言,實現(xiàn)高效解決方案同樣重要,這是延長電池壽命的關(guān)鍵因素。通過單芯片集成,如增強型氮化鎵功率場效應...
RF GaN正快速成長 它未來會在手機中實現(xiàn)嗎?
如今,寬禁帶半導體已成為一個熱門話題。 碳化硅(SiC)正成為業(yè)者瞄準的下一個戰(zhàn)略目標,并且正在電動汽車和其他系統(tǒng)中獲得發(fā)展。另外,還有就是氮化鎵(Ga...
SiC和GaN半導體產(chǎn)品競爭激烈,日本企業(yè)實力雄厚
近兩年來,各國科技企業(yè)都在關(guān)注半導體建設,加快在半導體領(lǐng)域中的自主研發(fā)步伐,畢竟半導體涉及到的領(lǐng)域也比較廣,能夠為各行各業(yè)的發(fā)展提供幫助,可以說生活中所...
Wolfspeed,英飛凌,三菱,安森美半導體,意法半導體,ROHM和Toshiba等供應商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半...
50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的電機實現(xiàn)難點是什么?
U.S. DRIVE給電機和電控的發(fā)展定了一個目標,那就是到2025年時,電機控制器的效率不能低于98%;功率密度要達到100kW/L;成本要降到2.7...
OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術(shù)亮點全揭曉!
2019年9月17日,OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...
但今天要說的這個表情包就不一樣了,有外國網(wǎng)友把真人頭像和流行的emoji表情結(jié)合在了一起。至于結(jié)合在一起之后能不能看出來是誰,甚至能不能看出來是人。那可...
半導體原料明日之星砷化鎵、氮化鎵產(chǎn)業(yè)分析
半導體原料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料。
氮化鎵元件對于5G基地臺需求加持,穩(wěn)懋擺脫貿(mào)易戰(zhàn)陰霾
砷化鎵(GaAs)及氮化鎵(GaN)晶圓代工龍頭穩(wěn)懋公告2019年第二季營收情形,營收金額來到1.41億美元。
這一事實并沒有真正公正地反映AGC的輝煌。由于摩爾定律,你可以選擇任何計算機器,也可以說50年后,將會有一臺機器能夠比它的運行速度快22?倍。
關(guān)于GaN微波器件大信號模型及其應用和發(fā)展分析
然而上述兩種模型為了達到大信號特性高精度,仍舊需要引入較多的擬合參數(shù),加大了模型參數(shù)提取的難度和模型在大功率放大器設計中的收斂性。對此,提出了一種準物理...
關(guān)于PA主流技術(shù)--GaN的性能分析和應用
作為射頻領(lǐng)域的專家,Qorvo 預測, 8GHz 以下砷化鎵仍是主流, 8GHz 以上氮化鎵替代趨勢明顯。砷化 鎵作為一種寬禁帶半導體,可承受更高工作電...
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