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5G功放技術戰-GaN和LDMOS各擅勝場

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2022-12-01 標簽:GaNLDMOS5G 3491 0

中國將大力支持發展第三代半導體,實現彎道超車目標

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為什么說第三代半導體是中國大陸半導體的希望?

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GaN晶體管維持低溫的原因是什么?

良好的散熱設計也會對功率密度的變化產生積極影響。選擇良好的基板肯定會通過減少散熱器表面(特別是在功率應用中)減少散熱面,從而有助于更好地散熱。

2020-09-28 標簽:電源晶體管GaN 1891 0

第三代半導體  全村的希望

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什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、...

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2021-01-24 標簽:充電器macbook氮化鎵 2535 0

Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...

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德州儀器高度集成GaN解決方案可優化成本和功耗

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2023年GaN功率元件市場規模成長至1.9億美元

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Qorvo QPQ1298濾波器可為農村、城郊及人口稠密的城市地區提供5G高數據容量所需的更高頻率和帶寬。

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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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