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將GaN用于射頻應(yīng)用的所有優(yōu)勢(shì)
與傳統(tǒng)技術(shù)相比,氮化鎵已被證明是射頻領(lǐng)域多種應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料,其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過程中,氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
Wibotic 的無人機(jī)和機(jī)器人配備新的基于 GaN 的充電器和發(fā)射器
大功率自主充電解決方案市場(chǎng)正在迅速擴(kuò)大,Wibotic 宣布了其在臺(tái)式電池充電器以及使用 GaN 技術(shù)的無人機(jī)和自主移動(dòng)機(jī)器人的無線充電發(fā)射器方面的最新...
我們知道,GaN在充電器等應(yīng)用上,主要是通過GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率開關(guān)器件在開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)...
影響非侵入式非接觸式電流傳感器測(cè)量的設(shè)計(jì)
本文介紹了影響 Tell-i 開發(fā)的非侵入式非接觸式電流傳感器測(cè)量的三種不同設(shè)計(jì)。該轉(zhuǎn)換器是具有 120VDC 輸入的 6.7MHz 兩相 DC/DC ...
2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器GaN電流傳感器 1072 0
基于GaN的耐輻射DC/DC轉(zhuǎn)換器可提高關(guān)鍵應(yīng)用的效率
除了顯著提高各種拓?fù)浜凸β始?jí)別的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外,基于 GaN 的 FET 還表現(xiàn)出對(duì)伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有...
2022-07-25 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器GaN隔離轉(zhuǎn)換器 1708 0
數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器,每個(gè)都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存,因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1598 0
作者研究了四個(gè)商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹,正如原始文章中所報(bào)道的,所有測(cè)試的器件都可以在低溫...
使用 GaN 功率 IC 提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)的可靠性和性能
歐盟大約有 80 億臺(tái)電動(dòng)機(jī)在使用,消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。1由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標(biāo),因此存在多項(xiàng)舉措來降低這些電機(jī)...
2022-07-19 標(biāo)簽:IC電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 1961 0
GaN射頻應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯,功率玩家厚積薄發(fā)
GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試三個(gè)部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類,與SiC類似,全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上,不過相比于Si...
不止于充電器!手機(jī)內(nèi)置GaN器件會(huì)成為下一個(gè)趨勢(shì)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在短短幾年間,GaN材料就與“快充”這個(gè)詞緊密關(guān)聯(lián)了起來。在快充需求下,GaN已經(jīng)幾乎在手機(jī)、筆記本等設(shè)備的充電器上實(shí)現(xiàn)普...
5G 和 GaN:嵌入式設(shè)計(jì)人員需要了解的內(nèi)容
如本系列上一篇文章所述,6GHz 以下 5G 基站的功率需求正在推動(dòng)從 LDMOS 放大器轉(zhuǎn)向基于 GaN 的解決方案。高功率密度、效率和更廣泛的頻率支...
很容易忘記 GaN 仍然是一項(xiàng)相對(duì)年輕的技術(shù)。我們?nèi)蕴幱陂_發(fā)的前幾代,具有很大的改進(jìn)和改進(jìn)潛力。本文著眼于即將出現(xiàn)的一些 GaN 創(chuàng)新,并預(yù)測(cè)它們?cè)谖磥?..
近年來智能快充市場(chǎng)爆火,GaN給智能快充領(lǐng)域帶來不少新機(jī)會(huì),同時(shí)也進(jìn)入多個(gè)新應(yīng)用場(chǎng)景。如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充成為行業(yè)內(nèi)廣大廠商面臨的重大挑戰(zhàn)。
在實(shí)踐中,僅僅通過優(yōu)化隱向量z難以準(zhǔn)確重建ImageNet這樣的復(fù)雜真實(shí)圖像。訓(xùn)練GAN的數(shù)據(jù)集(ImageNet)本身是自然圖片中很少的一部分,GAN...
筆者最近在集中時(shí)間學(xué)習(xí)對(duì)抗生成網(wǎng)絡(luò)(GAN),特別是深度生成先驗(yàn)進(jìn)行多用途圖像修復(fù)與處理,需要對(duì)圖像修復(fù)與處理經(jīng)典論文進(jìn)行回顧和精讀。
2022-07-13 標(biāo)簽:GaN生成器深度學(xué)習(xí) 3343 0
一種基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、低成本微型光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)
該芯片具有片上光電探測(cè)能力,能夠?qū)崟r(shí)讀取芯片表面集群細(xì)胞活動(dòng)引起的折射率變化。同時(shí)通過集成一個(gè)微型微分干涉顯微鏡,實(shí)現(xiàn)對(duì)細(xì)胞形貌和運(yùn)動(dòng)的在線追蹤。該系統(tǒng)...
2022-07-12 標(biāo)簽:GaN傳感系統(tǒng)光學(xué)芯片 2025 0
利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長(zhǎng)模型
碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高等特性,其品質(zhì)因子優(yōu)異,在高溫、高頻、大功率及抗輻射領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2022-06-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiCGaN 1332 0
隨著第三代半導(dǎo)體GaN應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展,市面上適配器應(yīng)用方案開始逐漸采用GaN功率器件,GaN適配器高頻開關(guān)器件使得適配器的功率密度大大提高,產(chǎn)品尺寸更小...
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