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Nexperia(安世半導體)融合其近20年來在高質量、高穩健性SMD封裝方面的豐富生產經驗,推出全新CCPAK GaN FET產品組合。基于此久經考驗...
全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070T...
AMEYA360代理:羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-...
近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產業高峰論壇上,聞泰科技半導體業務憑借其卓越的創新產品“針對工業和可再生能源應用的CCPAK封...
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP...
本土Tier1推出GaN OBC:單級拓撲、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近期GaN在OBC上的應用方案開始陸續推出市場, 在一 月初,陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案,采用GaN器件以...
近日,日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術突破:成功開發出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發展,高性能功率器件的需求呈現出前所未有的增長態勢。在這一背景下,2025年1月8日于珠海金灣工...
HFG610-65 數據手冊和產品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩壓器
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩壓器,專用于高性能和高頻設計。與傳統QR 反激式穩壓器不同,HFG610-...
近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數據中心、光伏、風電、工業控制等產業的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體廠商發展迅速。
應用指南導讀 | 優化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現代功率電子領域的新寵。然而,GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了...
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