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GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...
2022-08-08 標簽：轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電力電子 2043 0
WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類產(chǎn)品高出幾個數(shù)量級，包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開關(guān)速度能力以及十分之一的能量損失。...
數(shù)字電源與 GaN 相結(jié)合可實現(xiàn) 99% 的效率
從電力電子設(shè)備使用真空管的早期開始，電力工程師就一直關(guān)注能效、功率優(yōu)化以及如何使電源更可靠、更小、更智能。 我們中可能很少有人記得引入了 Thyratr...
寬帶隙半導體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...
GaN和 SiC令人印象深刻的品質(zhì)使它們深受業(yè)內(nèi)人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產(chǎn)和供應(yīng)需求的挑戰(zhàn)，因此專業(yè)人士、投資者和工業(yè)家正在合作以確保足夠的可用...
GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細分環(huán)節(jié)中...
GaN材料主要應(yīng)用于偏低壓應(yīng)用例如800V以下的應(yīng)用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強性高電子遷移率異質(zhì)節(jié)晶體管（HEMT）和600V ...
MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入還使硅能夠在功率應(yīng)用中使用，其特點是電流和電壓特別高。
對電子設(shè)備的需求激增正在推動半導體行業(yè)多個領(lǐng)域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 （WBG...
2022-08-05 標簽：電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導體 1922 0
GaN 晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域、電力供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們來看看如何更好地管理不同的操作條件...
對硅替代品的探索始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材...
基于 GaN 的 Dickson 轉(zhuǎn)換器提高 EV 效率
電動汽車 (EV) 電力需求的增加已將傳統(tǒng)的 12V 系統(tǒng)推至其最大容量 3 kW。因此，開發(fā)了一個補充 48-V 網(wǎng)絡(luò)。1,2 48V 總線和內(nèi)核電壓...
2022-08-05 標簽：電動汽車電源轉(zhuǎn)換器 1322 0
氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。在這些應(yīng)用中，eGaN ? FET 和 IC 的應(yīng)用迅...
通過測試和測量持久力來評估電子設(shè)備的質(zhì)量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換，...
氮化鎵 (GaN) 開關(guān)技術(shù)推動了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發(fā)可以在高開關(guān)頻率下運行的轉(zhuǎn)換器。GaN 減小了變壓器尺寸...
使用 WBG 材料的射頻功率半導體解決了 5G 應(yīng)用中的許多技術(shù)挑戰(zhàn)，縮小了與舊的基于硅的技術(shù)之間的差距。 5G 技術(shù)的進步正在推動半導體行業(yè)面臨新的技...
多年來，設(shè)計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標簽：轉(zhuǎn)換器半導體氮化鎵 1107 0
分立式 GaN 解決方案的速度無疑比硅等效方案更快。使用數(shù)字控制，它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關(guān)固件消除了許多設(shè)計瓶頸。
GaN 晶體管是當今存在的“最冷”組件之一。即使在高溫和極端條件下，其低結(jié)電阻也可實現(xiàn)低溫和低能量損失。這是這種材料廣泛用于許多關(guān)鍵部門的主要原因之一，...
GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實現(xiàn)的新應(yīng)用。
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