GaN助力實(shí)現(xiàn)更快、能效更高的充電

我們的寬帶隙電源、檢測(cè)和連接技術(shù)使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)V2G 儲(chǔ)能，從而促進(jìn)更加可持續(xù)、高效且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的能源管理。

2022-10-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體GaN 1074 0

如何為您的應(yīng)用選擇合適的高壓示波器探頭

直流母線電壓將確定用于測(cè)量的探頭所需的最大額定電壓。對(duì)于交流線路信號(hào)，這是交流線路的峰峰值電壓。在開關(guān)功率器件中，母線電壓通常是AC線路全波整流的峰值電...

2022-10-03 標(biāo)簽：示波器GaN無源探頭 950 0

Nexperia最新發(fā)布的GaN產(chǎn)品

__[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引...

2022-09-27 標(biāo)簽：氮化鎵GaNNexperia 1627 0

第三代半導(dǎo)體中的明星元器件產(chǎn)品

近年來，「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得其越來越貼近我們的生活。

2022-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件GaN 2067 0

APEX決定在新的PWM放大器中集成SiC有何原因

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有類似的高寬帶隙能量，從而使它們?cè)陂_關(guān)能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導(dǎo)體更具優(yōu)勢(shì)。

2022-09-21 標(biāo)簽：放大器PWMSiC 832 0

車載操作系統(tǒng)或成行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵 GaN成為數(shù)據(jù)服務(wù)器效率關(guān)鍵

簡(jiǎn)訊：2022世界人工智能大會(huì)(WAIC)近期在上海舉辦，AI芯片作為人工智能產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵硬件，在本次大會(huì)上眾多國(guó)產(chǎn)AI芯片公司均展出了最新的技術(shù)和產(chǎn)...

2022-09-16 標(biāo)簽：服務(wù)器操作系統(tǒng)GaN 722 0

如何在絕緣層上硅形成高質(zhì)量和大面積的化合物半導(dǎo)體材料

第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中...

2022-09-16 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體SiC 1264 0

Vishay推出兩款新型UVC發(fā)光二極管

VLMU35CR40-275-120和VLMU35CR41-275-120基于AlGaN技術(shù)，專門用來取代低壓UVC水銀燈，特別適合器件小型化緊湊設(shè)計(jì)。

2022-09-14 標(biāo)簽：發(fā)光二極管GaN 543 0

介紹一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型

我們提出了一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型，它可以被用于多種 3D 視覺任務(wù)的基礎(chǔ)，例如形狀補(bǔ)全、上采樣、合成和數(shù)據(jù)增強(qiáng)。

2022-09-09 標(biāo)簽：編碼器GaNMMD 2392 0

華源智信推出GND散熱的集成氮化鎵芯片HYC3606

前言 氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的大規(guī)模商用，帶來了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充...

2022-09-07 標(biāo)簽：電源管理功率器件氮化鎵 3605 0

CCPAK-GaN FET頂部散熱方案

長(zhǎng)期以來，在功率應(yīng)用方案中，熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí)，從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而，隨著輸出功率提升以及功率密...

2022-08-30 標(biāo)簽：晶體管散熱FET 1830 0

單片2 MHz GaN半橋適合D類音頻

EPC2106是增強(qiáng)型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個(gè) eGaN 功率 FET 集成到單個(gè)器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。

2022-08-29 標(biāo)簽：pcb晶體管GaN 1012 0

氮化鎵GaN技術(shù)的未來布局

氮化鎵作為一種寬帶隙復(fù)合半導(dǎo)體材料，具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。其中，開關(guān)頻率高意味著應(yīng)用電路可以采用尺寸...

2022-08-24 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 2290 0

GaN芯片的制備工藝

GaN作為第三代半導(dǎo)體的典范正在被廣泛使用，就連電梯間也能看到快充品牌直接拿GaN做廣告語(yǔ)了。

2022-08-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體GaN 5292 0