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來源:《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破,在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中...
UMS?CHA7062-QCB是款兩級單片GaN功率放大器,在13-20GHz工作頻段內展現5W飽和狀態輸出功率。 CHA7062-QCB具備17%的功...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結...
隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料在二極管、場效應晶體管(MOSFET)和其他元件中的不斷應用,電力電子行業的技術革命已經開始。這些新組...
隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對...
Transphorm發布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc...
納芯微全新推出GaN相關產品NSD2621和NSG65N15K
納芯微全新推出GaN相關產品,包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等...
Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能參數。包括相對較高的...
UMS的CHA8312-99F是款8-12GHz頻率段的二級GaN大功率放大器。CHA8312-99F一般提供與50%的功率額外效率相關聯的17W輸出功...
Wolfspeed的CGH60030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優越產品性能;包括更高擊穿場強...
氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導體材料,禁帶寬度為3.4eV,對應截至波長365nm,對可見光無響應,克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應,且紫外靈...
GAN:生成對抗網絡 Generative Adversarial Networks
原文鏈接 1 原理 對于生成對抗網絡GAN,一個簡單的理解是可以將其看做博弈的過程,我們可以將生成模型和判別模型看作博弈的雙方,比如在犯罪分子造假幣和警...
CEO進一步指出,產品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應用垂直 GaN 技術領導者的地位。它需要我們的重要知識產權來制造適用于客戶用例的產品。
2022年行家說全球第三代半導體產業發展高峰論壇,暨2022行家極光獎(2022 Hangjia Aurora Award)頒獎晚宴在深圳順利舉辦。Ne...
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