ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 標(biāo)簽：GaNHEMTRohm 995 0

多維科技在紐倫堡Sensor+Test展會(huì)上推2MHz帶寬的可編程TMR265x線性傳感器芯片

多維科技全新的TMR265x 線性磁場(chǎng)傳感器芯片具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性，為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測(cè)方案。 2023年5月8日，多維科技將在...

2023-05-10 標(biāo)簽：傳感器SiCGaN 740 0

Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。

2023-05-10 標(biāo)簽：FETGaNNexperia 1515 0

納微半導(dǎo)體攜尖端GaN/SiC功率產(chǎn)品亮相PCIM 2023

作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會(huì)，PCIM 2023將于5月9日至11日在德國紐倫堡盛大召開，會(huì)上將展開超400篇國際技術(shù)論文的學(xué)術(shù)交流...

2023-05-08 標(biāo)簽：SiCGaN納微半導(dǎo)體 433 0

介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況

Micro LED新型顯示具有巨大市場(chǎng)前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對(duì)推動(dòng)Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。

2023-04-26 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵GaN 2589 0

納微半導(dǎo)體下一代GaNFast技術(shù)，10分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)100%充電

獲TüV萊茵安全認(rèn)證，這款realme GT3標(biāo)配的雙口SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來，分別用于CRM P...

2023-04-25 標(biāo)簽：GaN納微半導(dǎo)體 623 0

GaN:RX65T300的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

GaN是第三代半導(dǎo)體材料，具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性，因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù)，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟， ...

2023-04-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 1514 0

GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件，具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)如下：1. 低導(dǎo)通電阻...

2023-04-20 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1194 0

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高...

2023-04-19 標(biāo)簽：電源芯片氮化鎵 483 0

氮化鎵(GaN)帶來電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。

2023-04-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電源管理德州儀器 1016 0

淺析下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景

由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長2.2倍。預(yù)計(jì)未來市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)...

2023-04-13 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 706 0

用于雙脈沖分析的650V GaN CCPAK評(píng)估板

對(duì)快速 GaN 器件進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)，需要特殊定制的 PCB 布局。為獲得準(zhǔn)確結(jié)果，需要超低的雜散電感和高帶寬電流測(cè)量。

2023-04-13 標(biāo)簽：pcbGaN評(píng)估板 1361 0

硅襯底GaN LED技術(shù)的應(yīng)用機(jī)遇與挑戰(zhàn)

Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來擁有千億級(jí)的市場(chǎng)，報(bào)告指出了Micro LED的優(yōu)勢(shì)及面臨的挑戰(zhàn)。面向AR應(yīng)用，Micro LED在亮度、...

2023-04-08 標(biāo)簽：ledGaNMicro LED 1495 0

65W-1A2C接口氮化鎵(GaN)PD快充電源方案

1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3....

2023-04-07 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1305 0

軍備芯片和商用芯片的區(qū)別 芯片14nm對(duì)比5nm差距在哪里？

其實(shí)就目前的情況（截止2022年）而言，現(xiàn)實(shí)和他們想的相反，在很多軍工領(lǐng)域，我國現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進(jìn)，實(shí)際情況大概率是美國戰(zhàn)斗機(jī)用90nm芯...

2023-03-31 標(biāo)簽：SiCGaNGaAs 6146 0

輸出功率高達(dá)100W！Power Integrations新添900V GaN反激式開關(guān)IC

900V耐壓的GaN器件，為汽車、工業(yè)及家電類應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)選擇。 伴隨著日益增加的功率需求，負(fù)載范圍內(nèi)更高的效率以及不斷升高的供電電壓的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，汽車、...

2023-03-30 標(biāo)簽：IC反激式GaN 1125 0