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ST 65W GaN變換器VIPerGaN65D 低成本節(jié)省空間的電源方案
VIPerGaN65D 目標(biāo)應(yīng)用鎖定快充、適配器和家電電源 意法半導(dǎo)體的VIPerGaN65D反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝,可以用于設(shè)計體積較小的高...
2025-04-01 標(biāo)簽:ST變換器反激式轉(zhuǎn)換器 400 0
GaN芯片出貨6.6億顆!英諾賽科2024年?duì)I收超8.2億,車規(guī)GaN猛增9倍
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日,功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績報告,本年度營收達(dá)到8.285億元,同比增長39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)...
芯干線科技亮相2025美國國際電力電子應(yīng)用展覽會
此前,2025年3月16日-3月20日,國際電力電子應(yīng)用展覽會(APEC)在美國佐治亞州亞特蘭大會議中心隆重舉行。作為為數(shù)不多的中國功率器件廠商,芯干線...
GaN重大突破!湖北這個實(shí)驗(yàn)室公布三大研究成果
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 3月22日,九峰山實(shí)驗(yàn)室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果,包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底(N-polar GaNOI);全國...
2025-03-25 標(biāo)簽:GaN 818 0
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新,智能功率氮化鎵(GaN)成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性,以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 683 0
Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓...
2025 年3月19日 - 英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(香港聯(lián)交所代碼:2577)是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)芯片...
突破雷達(dá)性能極限:GaN 功率放大器解決方案助力遠(yuǎn)程探測
2025-03-18 標(biāo)簽:GaN雷達(dá)系統(tǒng) 550 0
解鎖GaN技術(shù)潛力:高電流納秒級脈沖驅(qū)動設(shè)計秘籍
您是否正為設(shè)計高電流、納秒級脈沖驅(qū)動電路而一籌莫展?現(xiàn)在,有一本由行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)EPC精心打造的權(quán)威指南,能助您攻克技術(shù)難題,開啟創(chuàng)新設(shè)計的大門! 《激光...
英飛凌CoolGaN功率晶體管賦能SounDigital放大器,更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】 由于市場對于音頻設(shè)備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高,領(lǐng)先的音頻設(shè)備制造商在不斷提高音質(zhì)的同時,也在努...
CGD 官宣突破100kW以上技術(shù),推動GaN挺進(jìn)超100億美元的電動汽車逆變器市場
ICeGaN HEMT 和 IGBT 的并聯(lián)組合降低 了 成本 、 實(shí)現(xiàn)高效率 ? 2025 年 3 月 11 日 英國劍橋 -無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公...
2025-03-11 標(biāo)簽:GaN 535 0
SiC與GaN技術(shù)專利競爭:新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇
在過去十年中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢,如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能...
全球首發(fā)量產(chǎn)!這款車官宣搭載GaN OBC
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)OBC即車載充電器,是將交流充電口輸入的交流電轉(zhuǎn)換為直流電的部件,只要車上有交流充電口,就需要配備OBC。隨著新能源汽車的...
2025-03-05 標(biāo)簽:GaN 1356 0
GaN HEMT在POE交換機(jī)中的應(yīng)用及優(yōu)勢
在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級增長以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下,POE(以太網(wǎng)供電)交換機(jī)作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)功能的關(guān)鍵設(shè)備,廣泛應(yīng)用于企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、5G 基...
MP1918數(shù)據(jù)手冊#100V、高頻、半橋 GaN/MOSFET 驅(qū)動器
MP1918 是一款 100V 半橋驅(qū)動器,用于在半橋或同步應(yīng)用中驅(qū)動具有低柵極閾值電壓的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。...
2025-03-01 標(biāo)簽:GaNMOSFET驅(qū)動 660 0
全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請
英飛凌全球?qū)捊麕ч_發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦,匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家,更有一個來自中國客戶的特邀報告。2025年3月11日北京時間下午...
羅姆EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT,被先進(jìn)的日本電子元器...
納微半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看
近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣...
TI DRV7308具有保護(hù)和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)技術(shù)文檔
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM),其中包含 205mΩ、650V 增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN),用于驅(qū)動高達(dá) 450V 直流電源軌的三相 ...
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