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      標簽　>　gan

      gan

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      gan技術

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      2023-02-15 標簽：半導體氮化鎵GaN 6474 0

      應用筆記——GaN偏置電路設計準則

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      2023-05-10 標簽：電路設計晶體管偏置電路 6456 0

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      功率幾乎是每一個電子設計中的共同主題，有效地管理和使用功率是現代面臨的挑戰之一。

      2018-08-01 標簽：半導體GaN 6439 0

      一種新的碳同素異形體——protomene比氮化鎵(GaN)更適用于光電組件

      protomene的熱膨脹很可能會發生在板間的結合上。當溫度升高時，從低溫半導體的48原子單元結構，轉變為高溫金屬的24原子單元結構特性，可能發生結構相...

      2018-03-30 標簽：石墨烯GaN 6385 0

      pSemi推出應用于固態LiDAR的GaN FET驅動器PE29101

      在LiDAR系統中，脈沖激光器的開關速度和上升時間直接影響著LiDAR的測量精度。為了提高分辨率，電流需要盡可能快地切換通過激光器二極管。GaN技術憑借...

      2018-06-20 標簽：驅動器GaNLiDAR 6384 0

      如何提高生成器G樣本質量的新方法

      BatchNorm是為了將層輸入的特征進行規范化，使其具備零均值和單位方差的特性。BatchNorm對于網絡訓練是至關重要的，它可以讓層數更深的模型工作...

      2018-09-07 標簽：濾波器GAN生成器 6377 0

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      2023-12-06 標簽：轉換器驅動器半導體 6280 0

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      在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴格的柵極環路設計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一...

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