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gan技術(shù)

用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能

氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)壓擺率很高時(shí),特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)...

2016-05-09 標(biāo)簽:GaN集成驅(qū)動(dòng)器共源電路 3220 0

確定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法

  TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測(cè)試來(lái)提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開(kāi)關(guān)具有令人興奮且具有突破...

2016-04-25 標(biāo)簽:德州儀器晶體管GaN 3114 0

GaN(氮化鎵)將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步

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實(shí)現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對(duì)當(dāng)前增長(zhǎng)的人口和能源需求的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動(dòng)這一目標(biāo)達(dá)成的重要?jiǎng)?chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 (GaN)。

2015-04-08 標(biāo)簽:LED照明SMPSGaN 2573 0

導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)

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射頻(RF)應(yīng)用的氮化鎵(GaN)電晶體已面世多年,最近業(yè)界的重點(diǎn)開(kāi)發(fā)面向?yàn)殡娏﹄娮討?yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開(kāi)發(fā)幾種...

2014-01-10 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管GaNCascode 1.0萬(wàn) 1

利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

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 最近,采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請(qǐng)了安川電機(jī),針對(duì)采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功...

2013-09-22 標(biāo)簽:SiCGaNAC-AC轉(zhuǎn)換器 1753 0

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問(wèn)題有解

近年來(lái)氮化鎵(GaN)系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標(biāo)簽:LCD氮化鎵GaN 2680 0

功率半導(dǎo)體的革命:SiC與GaN的共舞

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二...

2013-03-07 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 5025 0

基于氮化鎵的LED具有更低成本效益

過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司,已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron(愛(ài)思強(qiáng))公司,并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...

2012-07-31 標(biāo)簽:LED氮化鎵晶片 1966 0

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    藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱,新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps,是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是,它的有效距離是上一版本的4倍,理論上,藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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