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電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發展,雖然硅仍然占據市場主流,但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案。
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅動信號的上升時間為依據,儀器系統對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
【泰克電源設計與測試】致工程師系列之三:高效GaN電源設計八部曲,泰克系列視頻課堂實操秘籍
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低,寬禁帶半導體(SiC 和 GaN)現在配合傳統硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴苛應用中。
氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產品應用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國芯GaN產品上市,引起了大家的關注,PD產品更是多姿多彩;納微GaN產品和英諾賽科Ga...
由于2 月13 日小米在新品發表會中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時間原本GaN 在射頻領域熱燒的話題,快...
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片,用于降低封裝的熱...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應用電路圖...
消費者目前已經開始體驗5G技術的優勢,它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網寬帶匹敵,而且將來還可能在蜂窩網絡服務區域內支持更高密度的移動設備和互連的物聯網...
Power Integrations(PI)于2019年7月27日發布了結合PowiGaN技術的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關...
基于Agilent ADS仿真軟件的GaN寬帶功率放大器設計
新一代半導體功率器件主要有SiC場效應晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場效晶體管,新一代SiC和Ga...
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