使用GaN設計高功率器件

從 70 年代下半葉開始，電源管理應用的主導技術是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進步和改進。然而，隨著...

2022-08-09 標簽：晶體管功率器件GaN 1966 0

氮化鎵晶體管如何改變D類放大器的性能

在本文中，我們將仔細研究氮化鎵 (GaN)晶體管，以及這種新的半導體技術如何有望徹底改變 D 類放大器的性能。 憑借其非常低的導通電阻、非常高且干凈的開...

2022-08-08 標簽：晶體管D類放大器GaN 3271 0

用于多種電源應用的GaN晶體管

硅功率 MOSFET 沒有跟上電力電子行業的演進變化，其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區的主要需求。電力電子行業已經看到硅 MOSFET 的理論極...

2022-08-08 標簽：MOSFET晶體管GaN 3180 0

電源設計中的模擬GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 ...

2022-08-05 標簽：晶體管GaN 1125 0

使用GaN設計PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有...

2022-08-05 標簽：MOSFET整流器GaN 1663 0

電源設計說明中使用GaN器件進行LTspice仿真

多年來，技術進步使得從功率器件獲得高級性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導更高的電壓。與硅元件相比，電...

2022-08-05 標簽：電源半導體GaN 5657 0

成果展示：具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

為實現具有高擊穿電壓和優異正向特性的第三代半導體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊依托先進的半導體TCAD仿真平臺，優化設計了一種具有p-NiO...

2022-08-04 標簽：二極管功率器件GaN 1505 0

正確使用并聯氮化鎵晶體管

電源轉換器的設計人員正在尋找提高效率同時增加系統功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標簽：MOSFET晶體管GaN 1862 0

半橋GaN應用中的交叉傳導解決方案

為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應用中必須具有互補驅動信號。為避免交叉傳導，有目的地將死區時間放置在驅動信號的高側和低側。...

2022-08-04 標簽：探頭GaN 3033 0

48V電源系統中的GaN FET應用

對于 48V 電源系統中的 GaN FET 應用，現有的一種方法是使用基于 DSP 的數字解決方案來實現高頻和高效率設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用...

2022-08-04 標簽：控制器FETGaN 1032 0

測量基于GaN的電源中的交叉傳導

這種測量交叉傳導的簡單且經濟高效的方法利用了GaN 晶體管的獨特特性。

2022-08-04 標簽：電源晶體管GaN 934 0

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

四十年來，隨著功率 MOSFET 結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

2022-08-04 標簽：MOSFET功率器件GaN 939 0

Pre-Switch基于AI逆變器可實現電動汽車的高效率

利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 軟開關技術，Pre-Switch 展示了如何通過在每個開關位置僅使用三個分立的低成本 35mΩ SiC F...

2022-08-04 標簽：電動汽車逆變器AI 1358 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統一視圖和價格-性能分析

在設計電力電子設備時，我們需要評估所有業務需求和技術要求，以優化設計周期時間，從而以更低的成本實現更高性能的系統。這是DiscoverEE及其創始人 S...

2022-08-04 標簽：IGBT功率SiC 5194 1

GaN實現下一代高頻電路

提高功率密度的關鍵是提高開關頻率，以最大限度地減少無源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時保持或提高效率。自 1996 年以...

2022-08-04 標簽：電容器GaN高頻電路 1131 0

基于GaN的高功率穩壓輸出電源方案

隨著這些基于 DPA 的服務器和工作站隨著時間的推移變得越來越小，在這些系統中啟用 IBA 方案的隔離式 DC/DC 轉換器或磚也必須如此。包括四分之一...

2022-08-03 標簽：fpga微處理器GaN 1286 0

用于電機驅動應用的GaN器件

今天，永磁電機，也稱為直流無刷電機，應用廣泛，與其他電機相比，可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動態性能。迄今為止，硅基功率器件一直在逆變器電子產品...

2022-08-03 標簽：逆變器GaN直流無刷電機 2560 0

GaN和SiC晶體管的區別

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發生變化。已經開發出由兩種或三種材料制成的化合物半導體，并具有獨特的優勢和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 標簽：晶體管SiCGaN 1974 0

一種基于GaN的BTP PFC電路和LLC諧振轉換器的實現

駐留在數據中心的大量服務器(每臺服務器都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和存儲大量數據的內存)需要越來越多的功率。更小、更輕、更...

2022-08-03 標簽：PFCGaN諧振轉換器 2576 0

氮化鎵 (GaN) 技術：屬性、優點、不同制造工藝及最新進展

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 ：其屬性、優點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅...

2022-07-29 標簽：半導體氮化鎵GaN 1.9萬 0