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GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關頻率、較低的導通電阻等優點,能夠以極低的成本和較高的技術成熟度兼容硅基半導體集成電路工藝,在新一代高...
按晶圓尺寸計算,GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產力并在單個批...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結...
作為第三代半導體的核心材料之一,GaN其主要有三個特性——開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。它在充電器上的優勢主要體現在:體積小,重量輕;功率密度...
通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法(MOCVD)生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導率等特點,寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
制造業中任何公司的主要目標都是為客戶生產無缺陷產品。如果在產品開發過程中出現任何內部孔、凹坑、磨損或劃痕(由于多種原因,從生產設備故障到惡劣的工作條件)...
具體而言,SiC 近年來在很多領域都有應用,比如工業領域。對于 GAN 來說,可使用場景非常廣泛。SiC 產品在高功率市場中有著很好的應用,例如 IGB...
基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度,最高效率為 96.8%,最低 94.5%。此外,隨著開關頻率和死區時間的增加,基于硅的轉...
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