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GaN智能功率模塊(IPM)實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)
氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中,我們將...
2024-06-17 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN智能功率模塊 1492 0
#參考設(shè)計(jì)#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源
72 W隔離反激式電源,適用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高頻準(zhǔn)諧振開關(guān)IC的電器,可實(shí)現(xiàn)最小Transform...
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L期以來一直激勵(lì)著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
什么是LiDAR?LiDAR技術(shù)的新時(shí)代 前景廣闊未來可期
什么是LiDAR? ? LiDAR 是Light Detection And Ranging(激光探測與測距)的縮寫,是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...
2024-05-16 標(biāo)簽:GaNRohm激光探測技術(shù) 967 0
毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 646 0
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析
化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...
適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南
作者:Kenton Williston 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類...
如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器
作者:Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢,所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...
2024-05-05 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 820 0
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢,如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí),這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢,因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)...
使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度
High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動(dòng)汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
深度學(xué)習(xí)生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)全解析
GANs真正的能力來源于它們遵循的對(duì)抗訓(xùn)練模式。生成器的權(quán)重是基于判別器的損失所學(xué)習(xí)到的。因此,生成器被它生成的圖像所推動(dòng)著進(jìn)行訓(xùn)練,很難知道生成的圖像...
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過程中,如藍(lán)寶石就特別困難,會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN(額定值 >=600V)外,新的中壓 GaN 解決方案(額定值 80V-200V)也日益受到歡迎,可在高壓 GaN ...
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。
襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 標(biāo)簽:GaN單晶硅半導(dǎo)體制造 2103 0
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