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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產euv光刻機發展等內容。
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我們一直在我們的私人咨詢業務上花費大量時間,試圖為各種邏輯和內存工藝節點的工具類型建立一個半導體工廠資本支出的模型。
EUV要解決的不僅是波長問題,更重要的是,ASML的LPP EUV光源中,激光器需要達到20kW的功率,而這樣的發射功率經過重重反射,達到焦點處的功率卻...
半導體和顯示材料開發商石墨烯實驗室于11月14日宣布,其已開發出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜(pellicles)的技術,并已準備好量產新型薄膜。
? 電子發燒友網報道(文/周凱揚)作為目前最先進的半導體制造設備,EUV光刻機的誕生是由各個部件在技術上的集體突破才最終成型的,比如光刻膠、掩膜板和鏡組...
過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術的發展。在使用 F2 準分子激光器開發基于 157 納米的光刻技術方面付出了一些努力,但主要關注點是使用 1...
大家知道,RISC-V已經成為繼x86、ARM之后冉冉升起的第三大CPU架構,盡管此前試圖收購RISC-V內核公司SiFive的努力失敗,但Intel找...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節點,DRAM 單元尺寸預計接近 0.0013 um2。無...
從出貨量的不斷增多,再到產品的更新換代。ASML嘗到了EUV帶給他的紅利,但是ASML的首席技術官透露EUV即將走到盡頭,之后的技術可能根本實現不了。
電子發燒友網報道(文/周凱揚)到了3nm這個工藝節點之后,單靠現有的0.33NA EUV光刻機就很難維系下去了。為了實現2nm乃至未來的埃米級工藝,將晶...
半導體行業波動性可能減弱。動蕩的2022年引發半導體行業庫存調整,企業紛紛應對短期下行周期,但背后的發展趨勢值得關注。由于人工智能(AI)、AR/VR、...
2022年華為前三季度研發投入超1100億,10年來華為研發投入近萬億!華為最近在光芯片、量子芯片方面頻頻突破,讓外媒感到震驚!
半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品,海外進口依賴較重,不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠(主要是 KrF、ArF ...
根據 ASML 的說明,盡管目前整體環境呈現短期的不確定性,仍見長期在晶圓需求與產能上的健康增長。ASML 提到,各個市場的強勁增長、持續創新、更多晶圓...
ASML光刻機擴產計劃公布:EUV 90臺/年 DUV 600臺/年
荷蘭ASML公司昨天一家總部設在荷蘭埃因霍溫(Eindhoven)的全球最大的半導體設備制造商之一,向全球復雜集成電路生產企業提供領先的綜合性關鍵設備光...
關于光子芯片: 光子芯片采用光波(電磁波)來作為信息傳輸或數據運算的載體,一般依托于集成光學或硅基光電子學中介質光波導來傳輸導模光信號,將光信號和電...
在時間方面,IAP 可能有點過于樂觀。對于 32nm 以下的一切,芯片制造商使用所謂的浸沒式光刻技術(本質上是 DUV 工具的助推器)生產。
相較于電子芯片,光子芯片對結構的要求較低,一般是百納米級,因此降低了對先進工藝的依賴。中科鑫通總裁隋軍也表示,光子芯片使用我國已相對成熟的原材料及設備就...
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