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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機的技術(shù)、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。
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臺積電 | 首次加入EUV極紫外光刻技術(shù) 7nm+工藝芯片已量產(chǎn)
臺積電官方宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝,這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù),意義非凡。
臺積電今年7納米總產(chǎn)能將增加1.5倍 達到100萬片約當12吋晶圓
臺積電近日舉辦技術(shù)論壇,今年臺積電(TSM.US)總產(chǎn)能將以7納米成長最多,第二代加入EUV的7納米預(yù)計第3季量產(chǎn),今年7納米總產(chǎn)能將增加1.5倍,達到...
美光公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 將持續(xù)推進1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND
作為全球知名的存儲器廠商,近日,美光召開了2019年投資者大會,在大會中上,美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
韓國《中央日報》發(fā)布消息稱,三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝,并于4月中正式量產(chǎn)首個利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導(dǎo)體的...
三星3nm工藝創(chuàng)新采用‘GAAFET結(jié)構(gòu)’ 芯片面積減少45%
韓國三星電子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上發(fā)布工藝設(shè)計套件(PDK)0.1版3nm Gate-All-Ar...
英特爾預(yù)計10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨 并預(yù)期2021年7納米制程可望進入量產(chǎn)階段
就在臺積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光(EUV)技術(shù)的7納米技術(shù)進入量產(chǎn)階段后,半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開始進入10納米時代,預(yù)計采用10納米產(chǎn)品將在6...
蘋果A13芯片將采用臺積電第二代7nm工藝 并率先采用EUV光刻技術(shù)
彭博報道稱,臺積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測試生產(chǎn)階段,并且計劃在本月進行量產(chǎn)。預(yù)計A13芯片將采用臺積電的第二代7nm工藝,并且率先采用...
16日,三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點方面取得了重大進展,包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片,以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子...
我國成功研發(fā)出9nm線寬雙光束超衍射極限光刻試驗樣機 打破國外技術(shù)壟斷
4月10日記者從武漢光電國家研究中心獲悉,該中心甘棕松團隊采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制,采用遠場光學的辦法,光刻出最小9納米線寬...
2019-04-16 標簽:EUV 9227 0
三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)
4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準備好向客戶提供樣品。
三星或從2019年6月份開始量產(chǎn)7納米EUV制程
在 7 納米制程節(jié)點上,雖然三星宣稱時程上領(lǐng)先臺積電,而且選擇直接進入 EUV 技術(shù)時代,不過實際進度卻非如此,也使得之前自家的 Exynos 9820...
臺積電推出采用EUV的5nm工藝設(shè)計 密度提高1.8倍,性能提高15%
臺積電近日宣布,將基于該公司的開放式創(chuàng)新平臺(OIP)提供完整版的5nm工藝設(shè)計制成。 據(jù)該公司稱,5nm工藝已經(jīng)處于風險生產(chǎn)階段,針對5G和人工智能市...
半導(dǎo)體技術(shù)微縮,新材料、材料純度和污染控制扮演重要角色
然而,真正讓芯片效能提升的關(guān)鍵,并非只是晶體管越做越小,也可以用 3D 制程取代 2D,或是導(dǎo)入新材料來提升性能,像是 1997 年 IBM 在半導(dǎo)體制...
三星7納米EUV制程量產(chǎn)預(yù)計在2020年底前達成
在當前全球晶圓制造的先進制程領(lǐng)域中,只剩下臺積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經(jīng)宣布量產(chǎn) 7 納米 EUV 制...
三星亦加快先進制程布局 今年將推進至采用EUV技術(shù)的5/4納米
晶圓代工龍頭臺積電支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7+納米進入量產(chǎn)階段,競爭對手韓國三星晶圓代工(Samsung Foundry)亦加快先進制程布局,包...
臺積電總裁暨執(zhí)行長魏哲家在日前法人說明會中指出,7+nm良率推進情況良好,預(yù)期第二季后進入量產(chǎn)階段,臺積電已經(jīng)與數(shù)家客戶合作,協(xié)助其第二代或第三代產(chǎn)品設(shè)...
梁孟松:中芯國際12nm工藝研發(fā)獲得突破,2018年銷售收入達33.6億美元
梁孟松博士指出:“我們努力建立先進工藝全方位的解決方案,特別專注在FinFET技術(shù)的基礎(chǔ)打造,平臺的開展,以及客戶關(guān)系的搭建。目前中芯國際第一代FinF...
2019-02-16 標簽:中芯國際EUVFinFET技術(shù) 1.6萬 0
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