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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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內(nèi)存/SSD齊漲價模式還沒有叫停,供求還在不斷地增加,三星計劃增產(chǎn)內(nèi)存來解決明年內(nèi)存市場短缺的問題。據(jù)報道,受內(nèi)存/SSD齊漲價影響,三星Q4利潤預計暴...
在近期舉辦的行業(yè)盛會Memcon 2024上,三星公司透露了其宏偉的量產(chǎn)計劃,預計在今年年底前,他們將成功實現(xiàn)1c nm制程的批量生產(chǎn)。
存儲技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破
三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別,并計劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。
MICRON的低功耗DRAM(LPDRAM)產(chǎn)品組件具備低功耗、性能卓越、密度高和寬溫度范圍的選擇,能夠協(xié)助用戶從性能卓越智能手機和其它智能產(chǎn)品中收獲最...
近日,美國芯片巨頭美光科技宣布了一項重大投資計劃。據(jù)悉,該公司將在日本廣島縣建設一家全新的DRAM芯片工廠,預計總投資將達到6000至8000億日元。
廣穎電通亮相2024臺北國際電腦展,展示DRAM-less無外置緩存解決方案
其中最令人矚目的是其采用DRAM-less無外部緩存方案的PCIe Gen5固態(tài)硬盤US85,此款固態(tài)硬盤具備PCIe Gen5x4高速傳輸接口,順序讀...
以“業(yè)界頂尖性能”推動人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)。
受AI/5G發(fā)展的影響DRAM需求持續(xù)放大,南亞科服務器DRAM順勢增加產(chǎn)出
受惠于數(shù)據(jù)中心對服務器內(nèi)存需求強勁,今年首季服務器內(nèi)存仍供不應求,價格硬挺,漲幅也最大,對即將切入市場的南亞科 (2408)是一大利多。
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設計1a DRAM電路
近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉...
DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)獲利狀況將維持一整年
市場研究機構(gòu)TrendForce的內(nèi)存儲存研究部門DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,受到三星(Samsung)智能型手機Note 7爆炸影響,消費者...
未來的存儲技術(shù)會是什么樣子呢?對于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù),我們應該繼續(xù)期望更高的容量。例如,在QLC NAND技術(shù)之后會出現(xiàn)什么?只有時間才能...
參照韓國海關(guān)總署數(shù)據(jù)可見,2023年度,韓國存儲芯片總出口額為438.94億美元,分別同比和環(huán)比降低28.9%和0.9%;出口重量為3674噸,兩者齊增...
三星電子和SK海力士在2012年第四季度繼續(xù)引領(lǐng)全球DRAM市場,它們兩家公司在該領(lǐng)域的市場份額之和達到67%。
內(nèi)存領(lǐng)域,一場關(guān)于HBM的競賽已悄然打響
存儲器數(shù)據(jù)訪問速度跟不上處理器的數(shù)據(jù)處理速度,數(shù)據(jù)傳輸就像處在一個巨大的漏斗之中,不管處理器灌進去多少,存儲器都只能“細水長流”。兩者之間數(shù)據(jù)交換通路窄...
2023-01-17 標簽:DRAM存儲器數(shù)據(jù)SK海力士 867 0
被大陸瘋狂挖角 臺灣IC產(chǎn)業(yè)巔峰時代要過去了?
近年來行動裝置推陳出新,帶動高階制程技術(shù)之需求大增,致2013年起臺灣的集成電路業(yè)產(chǎn)值連年創(chuàng)下歷史新高,2013、2014年各呈二位數(shù)成長,分別年增16...
在全球個人消費觀念的變化中,也反映了越來越多的消費者使用平板電腦獲取媒體信息及交際工具,如蘋果公司的ipad等。根據(jù)IHS iSuppli公司的分析指出...
在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 標簽:DRAM晶體管內(nèi)存技術(shù) 866 0
三星 DS 部門在 2023 年的營業(yè)利潤預估虧損 13 萬億韓元(當前約 712.4 億元人民幣),而今年的目標是 11.5 萬億韓元,意味著增加接近...
DRAM創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄 供貨吃緊可能持續(xù)整年
TrendForce 內(nèi)存儲存研究(DRAMeXc hange)最新研究顯示,由于 DRAM 供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續(xù) 2016 下半年的價...
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR...
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