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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

回顧易失性存儲器發(fā)展史

易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機(jī)開...

2023-06-28 標(biāo)簽:DRAM存儲器sram 1925 0

2019年DRAM芯片報價一路走低 1月漲價將是大概率事件

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行業(yè)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange發(fā)布了8Gb DDR4內(nèi)存芯片的最新月度合約報價,可以看到,已經(jīng)連續(xù)3個月保持在2.79~2.88美元。

2020-01-06 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存 1925 0

DRAM和NAND技術(shù)的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲器。DRAM的特點是需要定時刷新,才可以保存數(shù)據(jù),SRAM只要存入數(shù)據(jù)了,不...

2020-07-22 標(biāo)簽:DRAMNAND 1925 0

中國芯國產(chǎn)進(jìn)程加速 刺激了NAND Flash和DRAM戰(zhàn)略布局速度的加快

12 月 9 日訊,2020 年 SK 海力士將進(jìn)行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組,為實現(xiàn)從開發(fā)、制造,以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理,會將 DRAM 和 ...

2019-12-10 標(biāo)簽:DRAMNAND 1923 0

存儲器將在年底面臨產(chǎn)能過剩危機(jī)

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在存儲器領(lǐng)域中,動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)是應(yīng)用最高的品類,產(chǎn)品市占率約60%;其次是NAND約占36%,NOR Flash 的份額非常小,約3%。

2022-06-17 標(biāo)簽:DRAM存儲器 1922 0

爾必達(dá)破產(chǎn)事件三大結(jié)局猜想:宣告破產(chǎn)價格飆升?

日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)申請破產(chǎn)保護(hù)一個月后,DRAM產(chǎn)業(yè)開始傳出整并消息,爾必達(dá)也企圖自保,藉由財務(wù)重整挹注資金來渡過難關(guān)。對此集邦科技(...

2012-03-27 標(biāo)簽:DRAM爾必達(dá)破產(chǎn)爾必達(dá)內(nèi)存 1922 0

快訊:三星電子預(yù)計Q3利潤同比增長58%

據(jù)外媒報道,三星電子日前發(fā)布2020年第三季度初步業(yè)績。三星電子預(yù)計第三季度營收達(dá)66萬億韓元,同比增長6.5%,同時預(yù)計第三季度營業(yè)利潤達(dá)12.3萬億...

2020-10-12 標(biāo)簽:DRAM三星電子SK海力士 1918 0

聯(lián)華電子承認(rèn)侵害一項商業(yè)秘密,自主管理緩刑

有鑒于此,聯(lián)電將繼續(xù)落實并加強(qiáng)有關(guān)營業(yè)秘密之保護(hù)與防免的政策與措施,包括機(jī)密信息的監(jiān)管機(jī)制、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)的教育訓(xùn)練與稽核等,以確保日常營運符合公司智財權(quán)...

2020-10-29 標(biāo)簽:芯片集成電路DRAM 1917 0

低功耗DRAM更能滿足邊緣AI需求

為了滿足高性能或滿足人工智能(AI)需求,新型內(nèi)存不斷涌現(xiàn),雖然理論上表明,更大的內(nèi)存有助于AI性能的釋放,但那些傳統(tǒng)內(nèi)存難道就無法滿足高性能應(yīng)用了嗎?...

2020-12-11 標(biāo)簽:DRAMAI人工智能 1915 0

Cadence與SK海力士LPDDR5X和LPDDR5T可實現(xiàn)互操作性

Cadence LPDDR5X IP 現(xiàn)已支持客戶使用,該 IP 采用全新高性能、可擴(kuò)展的自適應(yīng)架構(gòu),并依托于 Cadence 久經(jīng)驗證且大獲成功的 L...

2023-04-21 標(biāo)簽:DRAMCadenceSK海力士 1911 0

SandBox將AI工具應(yīng)用到IC制造方法

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20世紀(jì)80年代,EDA公司如雨后春筍般涌現(xiàn),提供商業(yè)工具來加速復(fù)雜的集成電路設(shè)計,從此芯片行業(yè)的發(fā)展軌跡發(fā)生了翻天覆地的變化。

2023-09-27 標(biāo)簽:集成電路DRAMSEM 1911 0

2024首季NAND漲勢持續(xù) SSD價格也將上揚

據(jù)TrendForce估計,2024年第一季度DRAM及NAND閃存(eMMC/UFS)平均季度漲幅將達(dá)18%-23%,壟斷市場或品牌廠商爭奪下,漲幅甚...

2024-01-08 標(biāo)簽:DRAMSSDNAND閃存 1911 0

傳統(tǒng)存儲技術(shù)面臨著挑戰(zhàn) 也催生了新技術(shù)的出現(xiàn)

由于存儲器制程比較簡單,存儲單元均可快速被復(fù)制,可以幫助先進(jìn)制程工藝快速提升良率。所以,在過去很長的一段時間內(nèi),存儲器都扮演著肯為先進(jìn)制程工藝成為“吃螃...

2019-03-28 標(biāo)簽:DRAM存儲技術(shù) 1908 0

NOR芯片今年價格或大漲60%|老邢點評

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內(nèi)存通路商透露,去年下半年以來,市場焦點一直以DRAM和儲存型閃存(NAND Flash)缺貨為重心,兩大主流內(nèi)存也從去年下半年迄今,價格上漲近六成。

2017-04-01 標(biāo)簽:DRAM賽普拉斯NOR芯片 1908 0

反壟斷調(diào)查嚴(yán)格,國產(chǎn)存儲迎來發(fā)展機(jī)會

、存儲芯片價值量太大,是全球半導(dǎo)體的主戰(zhàn)場,也是全球半導(dǎo)體超級周期的主抓手,直接影響到產(chǎn)業(yè)安全和信息安全,國家高度重視。2月27號和三星進(jìn)行約談,而以...

2018-08-28 標(biāo)簽:DRAM存儲 1899 0

DRAM明年上半年可能會供不應(yīng)求

12月1日消息,英文媒體此前曾多次報道,存儲芯片制造商今年下半年的處境并不樂觀,行業(yè)內(nèi)供過于求,三星電子和其他主要制造商DRAM和NAND閃存的平均庫存...

2020-12-01 標(biāo)簽:DRAM三星電子存儲芯片 1899 0

紫光國芯亮相第六屆絲綢之路國際博覽會

以“互聯(lián)互通互融·共進(jìn)共享共贏”為主題的第六屆絲綢之路國際博覽會暨中國東西部合作與投資貿(mào)易洽談會(簡稱“絲博會”)在西安國際會展中心開幕。西安紫光國芯半...

2022-08-18 標(biāo)簽:DRAM存儲紫光國芯 1897 0

CXL 高兼容性與內(nèi)存一致性優(yōu)勢顯著 市場潛力巨大

1. Rambus:專注內(nèi)存接口芯片的創(chuàng)新廠商 1.1. 內(nèi)存接口芯片專家,兩大業(yè)務(wù)條線產(chǎn)品矩陣完善 Rambus 是全球領(lǐng)先的互連類芯片與硅 IP 解...

2023-07-06 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存接口芯片 1888 0

DDR5或?qū)⒃?023年成主流存儲技術(shù)

新一代DDR5擁有超高頻寬及低功耗優(yōu)勢,不僅傳輸速率能增加50%,工作電壓亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V,能夠提高整體系統(tǒng)能源效率。

2022-10-17 標(biāo)簽:DRAM存儲技術(shù)DDR5 1883 0

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