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      標(biāo)簽　>　ddr5

      ddr5

      +關(guān)注1人關(guān)注

      DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

      文章：425個 瀏覽：24652次 帖子：7個

      ddr5資訊

      基于7nm打造的HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布

      Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限，因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也...

      2017-12-07 標(biāo)簽：內(nèi)存7nmddr5 1794 0

      兆芯自主CPU路線圖：對標(biāo)AMD、支持DDR5

      作為國產(chǎn)CPU處理器中的x86架構(gòu)代表者，上海兆芯去年底發(fā)布了KX（開先）-5000系列芯片，設(shè)計(jì)為4核、8核，是旗下第5代通用CPU，也是首款支持雙通...

      2017-11-29 標(biāo)簽：amd兆芯ddr5 2063 0

      新技術(shù)內(nèi)存接口DDR5有望2019年量產(chǎn)

      下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。 替代型內(nèi)存崛起。 DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。

      2017-09-26 標(biāo)簽：cpu存儲技術(shù)rambus 3418 0

      DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！

      內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。

      2017-04-01 標(biāo)簽：內(nèi)存DDR4DDR5 2374 0

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        +關(guān)注
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        比特大陸
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      • iPhone6S
        iPhone6S
        +關(guān)注
        北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］ 。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
      • 華天科技
        華天科技
        +關(guān)注
        華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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        東軟
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