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標(biāo)簽 > 驅(qū)動電路
驅(qū)動電路(Drive Circuit),,其基本任務(wù)就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標(biāo)的要求,轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號,對全控型器件則既要提供開通控制信號,又要提供關(guān)斷控制信號,以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。
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首先說一下電源IC直接驅(qū)動,下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動電路未做過多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時要盡量進(jìn)行優(yōu)化...
目前很多手機(jī)都集成了紅外功能,這一功能在手機(jī)上主要用作遙控器使用。現(xiàn)在的硬件廠商都在搭建生態(tài),比如智能家居。以手機(jī)作為智能終端,通過APP來控制所要接入...
如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動電路
在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的...
LED調(diào)光控制系統(tǒng)電路設(shè)計圖 —電路圖天天讀(141)
本文專門對驅(qū)動LED串的升壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了理論分析,激發(fā)這項(xiàng)研究的是穩(wěn)定汽車應(yīng)用背光驅(qū)動器環(huán)路的需求。
I2C接口的LED驅(qū)動電路設(shè)計與應(yīng)用攻略
最簡單的LED驅(qū)動,我們可以用普通的I/O來實(shí)現(xiàn)。但I(xiàn)/O控制只能實(shí)現(xiàn)LED 的ON與OFF,無法用來進(jìn)行混光、閃爍等功能,而且每個LED都需要占用一個...
三極管繼電器驅(qū)動電路中器件的參數(shù)值計算方法
我們一般采用三極管作為繼電器驅(qū)動電路,而NPN三極管是充當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān),這意味著NPN導(dǎo)通時,三極管本身將成為繼電器線圈的接地路徑,下面是一個繼電器驅(qū)動電路...
直流電機(jī)調(diào)速與測速電路模塊設(shè)計
直流電機(jī)是工業(yè)生產(chǎn)中常用的驅(qū)動設(shè)備,具有良好的起動、制動性能。早期直流電動機(jī)的控制均以模擬電路為基礎(chǔ),采用運(yùn)算放大器、非線性集成電路以及少量的數(shù)字電路組...
逆變器 它的作用與整流器相反,是將直流電逆變?yōu)殡妷汉皖l率可變的交流電,以實(shí)現(xiàn)交流電機(jī)變頻調(diào)速。逆變電路由開關(guān)器件構(gòu)成,大多采用橋式電路,常稱逆變橋。在S...
該文講述了二極管正向浪涌電流測試的基本要求和標(biāo)準(zhǔn)測試方法,針對標(biāo)準(zhǔn)測試方法存在的不足,設(shè)計實(shí)現(xiàn)了采用信號控制、電容儲能和大功率場效應(yīng)管晶體管電流驅(qū)動的電...
自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲能的電壓自舉電路通常是利用電容對電荷的存儲作用來實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)MOS 1.0萬 0
觸點(diǎn)在閉合時,觸點(diǎn)回跳時所產(chǎn)生的反復(fù)拉弧可能在短時間內(nèi)釋放巨大的熱量(尤其是受到大電流沖擊時),使接觸面局部快速加熱、軟化、熔化,然后迅速冷卻、凝固導(dǎo)致...
今天分享一個ULN2003的驅(qū)動電路,這個芯片非常好用,可以做一些繼電器驅(qū)動,或者步進(jìn)電機(jī)等的驅(qū)動。一個ULN2003就可以驅(qū)動7路繼電器。ULN20...
D 類音頻功放具有高效、節(jié)能、小型化的優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于便攜式產(chǎn)品、家庭AV 設(shè)備及汽車音響等多個領(lǐng)域。本文設(shè)計的D 類音頻功率放大器主要基于以下三個方面...
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.0萬 0
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