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標簽 > 驅(qū)動電壓
驅(qū)動電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進電動機的旋轉(zhuǎn)磁場 解釋: 轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進電動機的旋轉(zhuǎn)磁場,即低于換相速度時,步進電動機會產(chǎn)生失步。這是因為輸入電動機的電能...
SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因
開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設(shè)計時直...
2022-06-02 標簽:變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動電壓 3621 0
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數(shù):雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
模態(tài)是指傳輸線對的特殊激勵狀態(tài)。兩線上有相同的驅(qū)動電壓時為偶模;兩線上有相反的驅(qū)動電壓時為奇模。
對MOS管在開關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進行分析
MOS管的米勒效應(yīng)會在高頻開關(guān)電路中,延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
針對一字型懸臂梁RF MEMS開關(guān)的兩種降低驅(qū)動電壓RF MEMS開關(guān)方法
通過理論分析和仿真,并與傳統(tǒng)的一字型懸臂梁作對比,驗證了增大局部驅(qū)動面積和降低彈性系數(shù)可以減小懸臂梁開關(guān)的驅(qū)動電壓。
2020-08-15 標簽:RFMEMS開關(guān)驅(qū)動電壓 2952 0
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽:SiC驅(qū)動電壓SiC MOSFET 2842 0
IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件,由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...
2024-07-25 標簽:發(fā)射極IGBT驅(qū)動驅(qū)動電壓 2633 0
使用高壓MOS作為開關(guān),例如下圖(來自于ADI官網(wǎng))LTC2949的典型應(yīng)用電路中,使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān);選用高壓MOS的原因是成本相對...
電源占空比對驅(qū)動電壓的影響是一個復(fù)雜的電子技術(shù)問題,涉及到許多電子元件和電路設(shè)計的原理。 電源占空比的定義和作用 電源占空比是指在一定時間內(nèi),電源輸出的...
MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡析
本文就MOSFET的開關(guān)過程進行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...
IGBT焊機驅(qū)動電壓的測量是一個專業(yè)且復(fù)雜的技術(shù)問題,涉及到電子電路、測量技術(shù)、焊接工藝等多個方面。 一、IGBT焊機概述 IGBT(Insulated...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個方面,它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中,我們將介紹IG...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)實現(xiàn)每比特阿焦級的電光調(diào)制器
MIT研究小組基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng),實現(xiàn)了每比特阿焦級的電光調(diào)制器,創(chuàng)造了新的低功耗調(diào)制器記錄。
2023-09-19 標簽:二極管晶體管光伏效應(yīng) 2147 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動電壓降低可能會受到以下因素的影響
什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性
功率MOSFET在開通的過程中,當VGS的驅(qū)動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由...
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