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標簽 > 雪崩二極管
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量子點探測器的主體結構為三明治結構,發射極和收集極均為重摻雜層,勢壘層之間堆疊二維量子點陣列。量子點探測器主要分為PIN結構量子點探測器、CMOS結構量...
雪崩二極管是利用半導體PN結中的雪崩倍增效應及載流子的渡越時間效應產生微波振蕩的半導體器件。如果在二極管兩端加上足夠大的反向電壓,使得空間電荷區展寬,從...
雪崩光電二極管是一種p-n結型的光檢測二極管,其中利用了載流子的雪崩倍增效應來放大光電信號以提高檢測的靈敏度。
半導體中的雪崩效應是引起pn結擊穿的一種機制。加反向偏壓的PN結,其空間電荷區內有很強的電場。
淺談雪崩光電二極管在測距起到的作用 詳解雪崩二極管靜電毀壞因素
當一個半導體二極管加上足夠高的反向偏壓時,在耗盡層內運動的載流子就可能因碰撞電離效應而獲得雪崩倍增。
雪崩光電二極管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件,又稱固態光電倍增管。
雪崩擊穿是在電場作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對,這就...
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