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標(biāo)簽 > 集電極
三極管中,從三個區(qū)引出相應(yīng)的電極,分別為基極b,發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié),兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種。
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對伺服驅(qū)動器來說,最高可以接收500KHz的脈沖(差動輸入)集電極輸入是200KHz。電機(jī)輸出的力矩由負(fù)載決定,負(fù)載越大電機(jī)輸出的力矩越大,當(dāng)然不能超出...
由于流過發(fā)射極偏置電阻(Re)的電流IR遠(yuǎn)大于基極的電流Ib(Ie》》Ib),因此,可以認(rèn)為基極電位Vb只取決于分壓電阻Re的阻值大小,與三極管參數(shù)無關(guān)...
當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓,并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r,三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置,這時基極電流對集電極電流起著控制作用,使三極...
這期的內(nèi)容是接繼上一篇三極管文章展開的,上期主要講了如何判斷三極管的三個工作區(qū),通過上節(jié)內(nèi)容,我想大家應(yīng)該能判斷三極管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)了吧。那...
所謂“漏型輸入”,是一種由plc內(nèi)部提供輸入信號源,全部輸入信號的一端匯總到輸入的公共連接端com的輸入形式。又稱為“匯點輸入”。輸入傳感器為接近開關(guān)時...
共射極放大電路是一種基本的晶體管放大電路,也是最常用的放大電路之一。在共射極放大電路中,晶體管的發(fā)射極連接到地,基極接入輸入信號,集電極輸出放大后的...
優(yōu)化驅(qū)動特性就是以理想的基極驅(qū)動電流波形去控制器件的開關(guān)過程,保證較高的開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗。優(yōu)化的基極驅(qū)動電流波形與GTO門極驅(qū)動電流波形相似。
從前面的學(xué)習(xí)中,了解到基本共射極放大電路常用于各種放大器,但是它的放大能力一般。而在實際中,經(jīng)常需要將微弱的電信號進(jìn)行放大,基本放大電路是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。因...
晶體管是電子元器件中常用的一種,用來放大電信號、控制電流等。晶體管通常由三個電極組成:基極、發(fā)射極和集電極。不同類型的晶體管電極排列方式和特性不同,因此...
集電極開路輸出端或者M(jìn)OS管漏極輸出端其性質(zhì)都是一樣的,這種電路在數(shù)字電路中都要加上拉電阻。比如在單片機(jī)P0口其內(nèi)部驅(qū)動電路是MOS構(gòu)成的,其結(jié)構(gòu)就是一...
IGBT關(guān)斷時,集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
三極管是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和電路中。在實際應(yīng)用中,我們常常會遇到三極管溫度與Vbe之間的關(guān)系。本文將詳細(xì)討論這兩者之間的關(guān)系,并分...
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和DMOS(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管技術(shù)組合...
瞬態(tài)過電流IGBT在運行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外,還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種...
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