PMC斥巨資收購(gòu)IDT的PCIe閃存控制器部門(mén)

引領(lǐng)大數(shù)據(jù)連接、傳送以及存儲(chǔ)，提供創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案的PMC公司日前宣布已經(jīng)針對(duì)收購(gòu)IDT公司企業(yè)級(jí)閃存控制器事業(yè)部和特定基于PCI Express（P...

2013-06-03 標(biāo)簽：閃存SSDPCIe 1360 0

英特爾再繪新版圖，3D NAND指日可待

IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。

2013-05-29 標(biāo)簽：英特爾閃存2D 1641 0

英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40nm嵌入式閃存工藝進(jìn)行合作

英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。

2013-05-02 標(biāo)簽：英飛凌閃存嵌入式 1720 0

走向萬(wàn)物互聯(lián)，Spansion將收購(gòu)富士通MCU和模擬業(yè)務(wù)

飛索半導(dǎo)體公司將收購(gòu)富士通半導(dǎo)體有限公司的微控制器和模擬業(yè)務(wù)。前者的閃存技術(shù)，加上收購(gòu)的微控制器和模擬產(chǎn)品，可以促進(jìn)高效能片上系統(tǒng)解決方案的問(wèn)世，這些解...

2013-05-02 標(biāo)簽：MCU閃存嵌入式 2895 0

美高森美推出滿足油氣行業(yè)鉆井探測(cè)環(huán)境的高溫快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）...

2013-04-15 標(biāo)簽：閃存美高森美 695 0

NOR閃存前景不妙，SPI NOR閃存困境獲勝

今年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品所青睞的存儲(chǔ)解決方案。甚至在NOR...

2013-04-10 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 2803 0

智能互聯(lián)與嵌入式系統(tǒng) 引燃閃存新戰(zhàn)局

預(yù)計(jì)五大趨勢(shì)將持續(xù)推動(dòng)閃存的銷(xiāo)售：1. 互聯(lián)設(shè)備的普及；2. 更為先進(jìn)的嵌入式應(yīng)用；3. 更優(yōu)秀的用戶界面互動(dòng)；4. 對(duì)非易失性存儲(chǔ)器基礎(chǔ)技術(shù)的日益關(guān)注

2013-01-30 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 1374 0

大數(shù)據(jù)分析，半導(dǎo)體技術(shù)必不可少?

進(jìn)行大數(shù)據(jù)分析時(shí)，半導(dǎo)體技術(shù)是必不可少的。雖然存儲(chǔ)器本身的技術(shù)開(kāi)發(fā)也很重要，但對(duì)于大數(shù)據(jù)分析，使存儲(chǔ)器物盡其用的控制器和中間件的技術(shù)似乎更加重要。

2013-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存DRAM 1774 0

誰(shuí)在引領(lǐng)存儲(chǔ)器需求？NOR和DRAM困擾何在？

這兩年，移動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自手機(jī)、平板等移動(dòng)終端，NAND與NOR閃存市場(chǎng)格局變化迅速，越來(lái)越先進(jìn)的手機(jī)扮演主導(dǎo)角色，左右著該產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)，并...

2012-12-25 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 1159 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個(gè)季度的虧損，3年來(lái)收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長(zhǎng)時(shí)間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1288 0

熱能的應(yīng)用 大幅度延長(zhǎng)閃存壽命周期

現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長(zhǎng)。延長(zhǎng) NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。

2012-12-03 標(biāo)簽：閃存NAND熱能 930 0

游戲者福音：Spansion推出首款45nm 8Gb NOR閃存

2012年11月14日，中國(guó)上海 行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司（紐約證交所代碼： CODE）今天宣布推出業(yè)界首款45納米（nm）單芯片...

2012-11-15 標(biāo)簽：閃存Spansion45nm 825 0

基于FPGA的19nm閃存PCIe SSD的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

19nm閃存PCIe SSD 以 NAND閃存為基礎(chǔ)的固態(tài)磁盤(pán)（SSD）技術(shù)與傳統(tǒng)的機(jī)械驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)系統(tǒng)相比，吞吐量更高，功耗更低。為此，SSD使用量在過(guò)...

2012-11-13 標(biāo)簽：FPGA閃存Xilinx 7103 1

LSI推出PCIe閃存LSI Nytro MegaRAID卡

LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出PCIe閃存LSI Nytro MegaRAID卡，為直連存儲(chǔ)(DAS)提供簡(jiǎn)單、透明和低成本的應(yīng)...

2012-08-30 標(biāo)簽：閃存PCIe半導(dǎo)體芯片 1618 0

IBM收購(gòu)閃存供應(yīng)商Texus Memory Systems

閃存供應(yīng)商Texus Memory Systems即將被IBM收購(gòu)。TMS近30年來(lái)一直都在為客戶提供基于數(shù)據(jù)庫(kù)服務(wù)器存儲(chǔ)系統(tǒng)的閃存產(chǎn)品。IBM今天宣布...

2012-08-17 標(biāo)簽：閃存IBMTexus 713 0

新iPhone或延遲發(fā)布 引發(fā)閃存商擔(dān)憂

最近有人推測(cè)蘋(píng)果下一代iPhone的發(fā)布時(shí)間有可能推遲至十月份。這一消息引起了諸多NAND閃存芯片制造商對(duì)2012年下半年需求量的關(guān)注。

2012-07-20 標(biāo)簽：閃存iPhone5新iPhone 656 0

2012年Q1全球閃存市場(chǎng):東芝“王者歸來(lái)”

在經(jīng)歷日本發(fā)生嚴(yán)重地震海嘯事件進(jìn)而導(dǎo)致2011年?duì)I收大幅下跌之后，東芝(微博)在今年一季度全球閃存市場(chǎng)用數(shù)字宣布了自己的“王者歸來(lái)”。

2012-06-15 標(biāo)簽：東芝閃存 799 0

德國(guó)“閃存稅”上升2338%

據(jù)德國(guó)Heise媒體報(bào)道，掌管德國(guó)空白媒體稅收的ZPü日前發(fā)布消息說(shuō)，他們將大量增加征收空白媒體稅。從他們發(fā)表的講話內(nèi)容來(lái)看，容量≧4GB的閃存驅(qū)動(dòng)器或...

2012-06-07 標(biāo)簽：閃存 7673 0

英研發(fā)出比閃存快百倍的新型存儲(chǔ)器

英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。

2012-05-21 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器 790 0

英研發(fā)出基于電阻性記憶體的新型存儲(chǔ)設(shè)備

英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基...

2012-05-21 標(biāo)簽：閃存消費(fèi)芯片移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備 812 0