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閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位(注意:NOR Flash 為字節存儲。),區塊大小一般為256KB到20MB。
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華為存儲從2002年開始投入,已經走過17個年頭。到今天,全球已經超過1萬客戶選擇了華為存儲,在金融、運營商、能源、大企業各行各業的核心系統上都有Oce...
與中低端存儲相比,高端存儲擁有更大的容量和更強的可擴展性,在與大量主機相連的同時也具備高性能和高可用性。但采購成本對于中端用戶來說是一個關鍵的考慮因素。...
該行業非常重視單個ECC代碼的強度:但經常被忽視的是錯誤預防的強度,這在糾正甚至發揮作用之前是重要的
那些做固態硬盤SSD的其實就在研究這仨東西(內附相關專業必修課)
看了那么多paper,才發現本質本質本質,專注本質 把研究的每一層細化,按照一個方向就整吧 研究SSD,還得是看這三大組件 主控芯片 閃存芯片 固件算法...
6月28日,據外媒體報道,東芝存儲公司(Toshiba Memory)表示,其位于日本中部的NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前恢復全面生產。
華虹半導體宣布第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺已成功實現量產
華虹半導體有限公司(“華虹半導體”)宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺已成功實現量產。
SK海力士宣布,已經全球第一家研發成功,并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。
近日,有消息稱,2019年6月15日,日本四日市市停電13分鐘(從18:25到18:38)。值得注意的是,由于東芝存儲器在該市擁有多個工廠,因此此次四日...
第四代PCIe接口PCIe 4.0為顯卡,SSD,Wi-Fi和以太網卡提供了兩倍的可用帶寬。
瑞薩電子開發出新的閃存技術 實現業界最大容量和最快的隨機訪問操作
瑞薩電子株式會社宣布開發出新的閃存技術,該技術可實現更大的內存容量、更高的讀出速度和對采用下一代28 nm工藝的汽車MCU的空中下載技術(OTA)支持。
據報道,美國西部數據公司(Western Digital)首席執行官Steve Milligan說到,美國存儲設備制造商西部數據公司暫停與華為的戰略合作...
五月DRAM與NAND Flash價格持續滑落5-10%,第三季跌幅可望收斂
智能型手機和筆記本計算機市場需求疲軟的情況持續,五月份內存和閃存價格持續滑落,客戶端的庫存去化速度不如預期,在第一季財報公布后各家存儲器供貨商面臨獲利大...
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