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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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分立閃存存儲(chǔ)器領(lǐng)域加密和安全基礎(chǔ)設(shè)施
嵌入式系統(tǒng)越來(lái)越普遍地采用云技術(shù)來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、事件檢測(cè)和軟件更新。這些遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備普遍通過(guò)固件完成設(shè)置，這些固件有可能存儲(chǔ)在主機(jī)MCU中，也有可能存...
此外，許多用戶(hù)部署了多個(gè)供應(yīng)商的存儲(chǔ)系統(tǒng)，這只會(huì)讓情況變得更為復(fù)雜。鑒于此，在存儲(chǔ)用戶(hù)最關(guān)心的問(wèn)題當(dāng)中，存儲(chǔ)成本、數(shù)據(jù)存放管理和優(yōu)化以及數(shù)據(jù)遷移位列前五...
2020-05-13 標(biāo)簽：閃存IBM存儲(chǔ)系統(tǒng) 2164 0
閃存和其他相關(guān)技術(shù)的未來(lái)將充滿(mǎn)希望
Coughlin Associates公司總裁Tom Coughlin對(duì)此表示同意，隨著設(shè)備使用更薄的層和層字符串技術(shù)，層數(shù)將繼續(xù)增加。但是，這些層的薄...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存，1.6Gbps單顆容量1.33Tb
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等...
2020-05-12 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4400 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功，跳過(guò)了96層
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5315 0
閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性存儲(chǔ)器，它在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息。
產(chǎn)品說(shuō)明 20+年堅(jiān)守行業(yè)，我們不斷地探索科技創(chuàng)新為行業(yè)用戶(hù)帶來(lái)便利。全星座衛(wèi)星系統(tǒng)芯片的應(yīng)用，更快的驍龍8核處理器，32GB大容量閃存，全網(wǎng)通網(wǎng)絡(luò)，電...
2020-04-28 標(biāo)簽：處理器閃存衛(wèi)星系統(tǒng) 1467 0
產(chǎn)品說(shuō)明 集思寶UG905，全星座衛(wèi)星系統(tǒng)定位芯片，更快的驍龍8核處理器，64GB大容量閃存，全網(wǎng)通網(wǎng)絡(luò)，電磁屏幕。通過(guò)眾多新科技的應(yīng)用使UG905打破...
硬盤(pán)將會(huì)在數(shù)據(jù)中心上沒(méi)有用？
當(dāng)今的大容量磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器越來(lái)越多地用于近線存儲(chǔ)，而近線存儲(chǔ)需要中等到低的寫(xiě)訪問(wèn)速率。
2020年內(nèi)存及閃存重新回到牛市周期，內(nèi)存廠商的好日子來(lái)了
一如之前預(yù)期的那樣，2019年Intel奪回了全球半導(dǎo)體公司的冠軍地位，超過(guò)三星成為第一大，在過(guò)去的27年中Intel壟斷該冠軍位置25次。
中國(guó)128層QLC閃存后 三星正研發(fā)160層閃存
對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō)，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲(chǔ)密度就越高，這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
前幾天，原來(lái)的東芝存儲(chǔ)更名后的鎧俠存儲(chǔ)發(fā)布了13款新品，借著這次機(jī)會(huì)，鎧俠也在不經(jīng)意間徹底淘汰了OCZ品牌。
長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功
長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上...
2020-04-19 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江儲(chǔ)存 3379 0
聯(lián)蕓科技發(fā)布新Agile ECC技術(shù)，提升QLC閃充性能和使用壽命
QLC閃存在SSD領(lǐng)域顯得雞肋，不說(shuō)寫(xiě)入次數(shù)短，讀寫(xiě)速度也比機(jī)械硬盤(pán)高不了多少。雖然價(jià)格便宜，但是QLC閃存的地位卻一直非常尷尬。不過(guò)最近新的Agile...
2020-04-16 標(biāo)簽：閃存ssd聯(lián)蕓科技 3665 0
國(guó)產(chǎn)SSD主控廠商成功研發(fā)4K LDPC算法
國(guó)內(nèi)的主控廠商聯(lián)蕓科技日前宣布研發(fā)成功4K LDPC算法，這是國(guó)內(nèi)SSD主控芯片廠商第一次實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的連續(xù)突破，將極大地提高QLC閃存的可靠性及使用壽命。
2020-04-15 標(biāo)簽：閃存SSD固態(tài)硬盤(pán) 4756 0
中國(guó)打破閃存芯片技術(shù)瓶頸，成功攻克最先進(jìn)的128層閃存
芯片分為存儲(chǔ)芯片和非存儲(chǔ)芯片，其中存儲(chǔ)芯片的種類(lèi)很多，按用途可分為主存儲(chǔ)芯片和輔助存儲(chǔ)芯片。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存，單顆容量可達(dá)1.33Tb
4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1473 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求
4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)...
2020-04-13 標(biāo)簽：閃存nand長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3847 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND
今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1187 0
NAND閃存從SLC到MLC再到TLC，可以說(shuō)一步步降低了成本，提升了容量，這是它們得以普及的關(guān)鍵。現(xiàn)在QLC閃存在這一年中發(fā)展迅猛，大有搶TLC風(fēng)頭的...
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