提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術

增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新...

2023-11-30 標簽：芯片閃存NAND 1374 0

PY25Q64HA串行接口閃存設備產(chǎn)品概述

PY25Q64HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設備靈活的擦...

2023-11-29 標簽：閃存FlaSh串行接口 1732 0

關于半導體存儲的最強入門科普

關于半導體存儲的最強入門科普

2023-11-30 標簽：芯片半導體閃存 1859 0

三季度智能手機需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮

2023年第三季度全球智能手機出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國大陸市場出貨量約為6640萬部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國大陸...

2023-11-22 標簽：智能手機閃存NAND 791 0

深度解析存儲系統(tǒng)的關鍵技術指標

NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設計,通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲 存在浮柵中，在無...

2023-11-19 標簽：閃存NANDSSD 607 0

閃存是如何存儲數(shù)據(jù)的？

計算機是處理數(shù)字格式信息的電子機器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字，而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串，稱為二進制（有時稱為“二進制代碼”）。

2023-11-15 標簽：MOSFET閃存存儲器 1370 0

NAND閃存市場分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析

2021年至2027年，以百萬計為單位的NAND晶圓復合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應用增長最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...

2023-11-06 標簽：閃存控制器NAND 1090 0

長江存儲首款4TB固態(tài)硬盤致態(tài)TiPlus 7100評測

致態(tài)TiPlus 7100固態(tài)硬盤采用晶棧Xtacking 3.0架構閃存，高達2400MT/s的閃存接口帶寬，對比上一代速度提高了50%。 四通...

2023-11-02 標簽：pcb閃存固態(tài)硬盤 3842 0

長江存儲232層閃存揭秘

長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。

2023-11-02 標簽：芯片閃存TLC 3161 0

3線串行數(shù)據(jù)通訊EEPROM的使用

EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從...

2023-10-23 標簽：芯片閃存存儲器 1750 0

什么是存算一體芯片？存算一體芯片的優(yōu)勢和應用領域

存算一體片上學習在實現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時，能夠有效保護用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式，可實現(xiàn)不同任務的快速“片上訓練”與“片上識別”，...

2023-10-23 標簽：芯片閃存FlaSh 6443 0

計算機SSD行業(yè)分類及產(chǎn)業(yè)鏈分析

固態(tài)驅動器（SSD）是一種由固態(tài)電子存儲芯片陣列構成的存儲設備，由控制單元和存儲單元組合而成。其接口規(guī)范、功能和使用方法與傳統(tǒng)硬盤完全一致，外形和尺寸也...

2023-10-12 標簽：閃存SSD數(shù)據(jù)中心 2924 0

探索閃存內(nèi)存如何應對“內(nèi)存墻”的可行性

首先，內(nèi)存請求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...

2023-10-09 標簽：閃存DRAMgpu 1365 0

基于FPGA實現(xiàn)NVME控制器

NVM Express ( NVMe ) 或 Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specifi...

2023-09-19 標簽：fpga閃存控制器 3653 0

Data flash在CS+的應用

Data flash，直譯數(shù)據(jù)閃存，閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數(shù)據(jù)保存區(qū)的“數(shù)據(jù)閃存”，這里講的數(shù)據(jù)閃存，其實就是單片機留給用戶存儲自己數(shù)據(jù)的地方...

2023-09-13 標簽：單片機閃存FlaSh 2741 0

新款旗艦手機中的存儲器技術解析

從絲印上可以看出分別為：H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077（由于屏蔽罩遮擋，按照海力士命名規(guī)則第一個字母應該是H）。 在海力...

2023-09-08 標簽：閃存存儲器海力士 3266 0

3D NAND層數(shù)“爭霸賽”，300層雖遲但到

眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

2023-08-30 標簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤 843 0