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標(biāo)簽 > 閃存

閃存

閃存

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閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

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閃存技術(shù)

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2024-03-22 標(biāo)簽:閃存NAND非易失性存儲器 1360 0

NOR FLASH的結(jié)構(gòu)和特性及原理圖

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2024-02-19 標(biāo)簽:閃存存儲芯片非易失性存儲器 5270 0

EEPROM(Data FIash)的巧妙應(yīng)用

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。它是...

2024-02-02 標(biāo)簽:整流器閃存EEPROM 1366 0

長江存儲PC411商用消費(fèi)級固態(tài)硬盤測試

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在近兩年里,憑借先進(jìn)的閃存,長江存儲打造了數(shù)款非常成功的固態(tài)硬盤產(chǎn)品,包括致態(tài)TiPlus5000、致態(tài)TiPlus7100、致態(tài)Ti600等針對DIY...

2024-01-11 標(biāo)簽:閃存固態(tài)硬盤長江存儲 2849 0

金士頓XS1000移動固態(tài)硬盤評測

隨著NAND閃存的降價(jià),現(xiàn)在除了PC臺式機(jī)與筆記本電腦廣泛使用內(nèi)置SSD外,用戶的移動存儲設(shè)備也普遍從移動機(jī)械硬盤升級為了移動固態(tài)硬盤。而為了帶給用戶更...

2023-12-28 標(biāo)簽:閃存NAND金士頓 2000 0

EEPROM為什么會成為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)理想選擇

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什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

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FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

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長江存儲致態(tài)TiPlus7100 4TB SSD評測

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其實(shí)早在年初,就有不少搭載長江存儲閃存顆粒的國產(chǎn)4TB SSD,不過長江存儲的自有品牌致態(tài),直到現(xiàn)在才推出這款致態(tài)TiPlus7100 4TB。

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先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存產(chǎn)品中的應(yīng)用探討

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2023-12-08 標(biāo)簽:閃存參考電壓 1134 0

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近日,長江存儲旗下的致態(tài)發(fā)布了新款NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB, 這是品牌第一款4TB大容量產(chǎn)品,之前TiPlus7100提供512...

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先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

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近年來,隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用,市場對數(shù)據(jù)處理以及存儲的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測,全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

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2023-12-01 標(biāo)簽:閃存NANDSSD 2163 0

PY25Q128HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述

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NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

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2023-11-30 標(biāo)簽:閃存NANDFlaSh 3061 0

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    HDD,Hard Disk Drive的縮寫,即硬盤驅(qū)動器的英文名。最基本的電腦存儲器,電腦中常說的電腦硬盤C盤、D盤為磁盤分區(qū)都屬于硬盤驅(qū)動器。硬盤一般常見的磁盤容量為80G、128G、160G、256G、320G、500G、750G、1TB、2TB等等。
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    Micro SD卡是一種極細(xì)小的快閃存儲器卡,其格式源自SanDisk創(chuàng)造,原本這種記憶卡稱為T-Flash,及后改稱為Trans Flash;而重新命名為Micro SD的原因是因?yàn)楸籗D協(xié)會(SDA)采立。另一些被SDA采立的記憶卡包括Mini SD和SD卡。其主要應(yīng)用于移動電話,但因它的體積微小和儲存容量的不斷提高,已經(jīng)使用于GPS設(shè)備、便攜式音樂播放器和一些快閃存儲器盤中。
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