西部數(shù)據(jù)宣布分拆為兩家公司，分別生產(chǎn)硬盤和閃存

西部數(shù)據(jù)為從個人計算機到數(shù)據(jù)中心存儲陣列的一系列系統(tǒng)提供硬盤驅(qū)動器，同時也是閃存芯片的主要制造商，此外還提供各種相關(guān)產(chǎn)品，包括設(shè)計用于在傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心外運...

2023-11-01 標簽：服務器閃存芯片西部數(shù)據(jù) 1136 0

中國首款64層三維閃存芯片發(fā)布 中國邁出打破美日韓壟斷的關(guān)鍵一步

紫光集團旗下長江存儲近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3DNAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入...

2019-10-08 標簽：閃存芯片 1102 0

西部數(shù)據(jù)合并案陷入僵局 閃存業(yè)務拆分成兩家公司

西部數(shù)據(jù)（Western Digital）宣布計劃將其閃存業(yè)務與硬盤驅(qū)動器業(yè)務分拆為兩家獨立上市的公司。這一決定是為了滿足激進投資者埃利奧特（Ellio...

2023-11-01 標簽：閃存閃存芯片硬盤驅(qū)動器 1081 0

擬出資27億美元競購東芝閃存芯片，蘋果放手一搏

如果能成功拿下東芝的閃存芯片業(yè)務，有助于減少其對三星芯片業(yè)務的依賴，以確保具備競爭力的供應鏈，這對未來iPhone存儲方案的開發(fā)和生產(chǎn)具有更重更重要的意...

2017-09-08 標簽：東芝閃存芯片 1044 1

東京電子新型蝕刻機研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團市場領(lǐng)導地位

根據(jù)已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)...

2024-02-18 標簽：閃存芯片蝕刻東京電子 1033 0

NAND閃存價格2023年上半年或?qū)⒊掷m(xù)下滑

NAND閃存芯片供應商現(xiàn)在面臨四到五個月的庫存。今年下半年，芯片價格將迅速下降，季度價格降幅達到近20%。

2022-09-27 標簽：NANDSSD閃存芯片 1020 0

手機將在2013年成為第一大閃存芯片消耗者

市場調(diào)研公司IHS iSuppli近日發(fā)布報告稱，手機將在2013年成為第一大閃存芯片消耗者。

2013-02-03 標簽：智能手機閃存芯片 1013 0

三星閃存每個季度都要漲價20％

在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計劃后延長了減產(chǎn)計劃。

2023-11-03 標簽：NAND閃存芯片三星 1004 0

西數(shù)證實和東芝達成和解 繼續(xù)參與合資的閃存芯片工廠

一直阻繞東芝180億美元轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務的西數(shù)終于放手，不再干涉東芝進行出售。雙方已經(jīng)達成和解，后續(xù)西部數(shù)據(jù)將繼續(xù)參與合資的閃存芯片工廠。

2017-12-13 標簽：東芝閃存芯片西數(shù) 1001 0

三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數(shù)紀錄

三星公司預計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NA...

2024-04-18 標簽：NAND閃存芯片三星 990 0

NOR Flash對于“被替”風險該如何去應對

NOR Flash主要用來存儲代碼及少量數(shù)據(jù)，近幾年因5G、IoT、TWS耳機、AMOLED屏幕、TDDI等市場快速發(fā)展而備受重視。 NOR Flash...

2021-03-03 標簽：FlaSh閃存芯片 971 0

東芝、西數(shù)達成和解,歸回東芝閃存芯片業(yè)務出售自由權(quán)

知情人士稱，東芝公司和西部數(shù)據(jù)公司接近達成一項協(xié)議，和解雙方的法律糾紛。根據(jù)協(xié)議，西數(shù)將不再阻止東芝以180億美元出售閃存芯片業(yè)務，以延長雙方的合資公司協(xié)議。

2017-12-01 標簽：東芝閃存芯片西數(shù) 951 0

東芝計劃減產(chǎn)NAND閃存芯片30%

東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。

2012-07-24 標簽：東芝NAND閃存芯片 901 0

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。

2024-04-17 標簽：閃存芯片NAND閃存人工智能 885 0

三星稱西安2000億補貼系猜測 總投資額仍未確定

　　17日消息 為吸引300億美元的投資，當?shù)亟o出了至少2000億元的政策優(yōu)惠條件，這是近日三星芯片項目落地西安之后引發(fā)的質(zhì)疑。

2012-04-18 標簽：三星電子閃存芯片 875 0

西數(shù)力挺QLC：首發(fā)96層3D NAND閃存！SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QL...

2017-06-28 標簽：ssd閃存芯片 835 0

如何提升閃存芯片廠商的競爭力

此外，三星和SK 海力士在今年下半年開始也逐漸生產(chǎn)176 層閃存的產(chǎn)品。不過與美光科技相比，這兩家廠商的176層閃存技術(shù)主要還是會應用在消費級產(chǎn)品中。鎧...

2022-10-17 標簽：服務器終端閃存芯片 829 0

東芝欲以投資1.59億美元開發(fā)25納米閃存芯片

東芝欲以投資1.59億美元開發(fā)25納米閃存芯片     據(jù)國外媒體報道稱，東芝公布了一項新計劃，開發(fā)25納米工藝...

2010-04-07 標簽：閃存芯片25納米 822 0