新一代超高熱導半導體封裝基板——金剛石

關鍵詞：金剛石，半導體封裝，散熱材料，高端國產材料引言：基板是裸芯片封裝中熱傳導的關鍵環節。隨著微電子技術的發展，高密度組裝、小型化特性愈發明顯，組件熱...

2023-07-31 標簽：半導體封裝基板 8051 1

金剛石轉子或可為蛋白質研究帶來新的進展

固態核磁共振使用的技術之一是魔角旋轉，它提供了改進的分辨率和靈敏度。在這種技術中，在圓柱體中填充被分析的材料后，將其懸浮在磁場中，并在受到射頻脈沖時使用...

2023-06-14 標簽：核磁共振金剛石 1023 0

金剛石半導體，全球首創

與傳統上用于半導體的硅和其他材料相比，金剛石可以承受更高的電壓，可以以更高的速度和頻率運行，并且可以用于外層空間等高輻射環境。金剛石半導體作為下一代功率...

2023-06-12 標簽：電源電路金剛石功率半導體 2155 0

提高金剛石/石墨烯異質結構界面的熱輸運

隨著人工智能和高端芯片、微納米器件的快速發展，芯片的高功率密度導致芯片內產生大量的積熱，導致芯片性能和可靠性下降，甚至導致芯片損壞和整個系統損壞。因此，...

2023-04-18 標簽：熱管理金剛石二維材料 962 0

半導體金剛石有什么不同 每種金剛石都能造芯嗎？

不是每種金剛石都能造芯** 金剛石生長主要分為HTHP法（高溫高壓法）和CVD法（化學氣相沉積法），二者生長方法側重在不同應用，未來相當長時間內，...

2023-02-02 標簽：芯片半導體金剛石 3086 0

金剛石薄膜熱導率測量的難點和TDTR解決方案

金剛石薄膜的熱導率表征不是一個簡單的問題，特別是在膜層厚度很薄的情況下美國國防部高級研究計劃局（DARPA）的電子熱管理金剛石薄膜熱傳輸項目曾經將將來自...

2022-08-09 標簽：金剛石熱導率CVD 2667 0

用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

由佐治亞理工學院機械工程學院領導的一個團隊實施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發的技術...

2022-08-08 標簽：工業功率器件GaN 2741 0

關于多晶金剛石薄膜技術的研究報告—江蘇華林科納

摘要 厚度約為1毫米的大面積均勻多晶金剛石薄膜在4英寸的襯底上生長并形成圖案。 氧化硅晶片使用集成電路兼容工藝的微系統應用。通過在4英寸上旋轉金剛石粉末...

2022-01-21 標簽：材料力學金剛石 1304 0

用于CVD金剛石沉積的氮化硅表面預處理報告

摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預處理（四種標準化學蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率。空白氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋...

2022-01-21 標簽：半導體金剛石氮化硅 1124 0

金剛石薄膜的等離子體沉積與刻蝕—華林科納半導體

摘要 丁二烯、氫和氬的三元混合物在平行板等離子體反應器中沉積了類金剛石碳膜。這些薄膜的蝕刻量為02，cf4/02等離子體放電。推導出了沉積氣體混合物的組...

2022-01-07 標簽：金剛石刻蝕機 1690 0

單晶和多晶金剛石襯底上單晶積分光學和機械元件的研究結果

金剛石提供了優越的光學和機械材料性能，使其成為實現集成光機械電路的主要候選材料。由于金剛石襯底尺寸成熟，高效的納米結構方法可以實現全面的集成器件。在此，...

2022-01-07 標簽：半導體金剛石 1644 0